[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201510430056.5 | 申请日： | 2010-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN105140292B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 坂田淳一郎;广桥拓也;岸田英幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的之一在于提供一种具有电特性稳定的薄膜晶体管的可靠性高的半导体装置。在包括作为半导体层采用氧化物半导体层的反交错型薄膜晶体管的半导体装置中，在氧化物半导体层上具有缓冲层。缓冲层接触于半导体层的沟道形成区与源电极层及漏电极层。缓冲层在其膜中具有电阻分布。在缓冲层中，设置在半导体层的沟道形成区上的区域的导电率低于半导体层的沟道形成区的导电率，并且接触于源电极层及漏电极层的区域的导电率高于半导体层的沟道形成区的导电率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：栅电极层；所述栅电极层上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上的第一氧化物半导体层；所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；以及与所述第二氧化物半导体层电连接的源电极层及漏电极层，其中，所述第二氧化物半导体层设置在所述第一氧化物半导体层的沟道形成区上，并且其中，所述第二氧化物半导体层覆盖所述第一氧化物半导体层的端部，并延伸在所述源电极层及所述漏电极层之下。
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