[发明专利]一种晶体管与薄膜体声波谐振器集成的放大模块有效

专利信息
申请号: 201510430350.6 申请日: 2015-07-21
公开(公告)号: CN105141278B 公开(公告)日: 2018-05-22
发明(设计)人: 杨天应;张乃千;张永胜 申请(专利权)人: 苏州能讯高能半导体有限公司
主分类号: H03H9/17 分类号: H03H9/17;H03F3/45
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆;胡彬
地址: 215300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种晶体管与薄膜体声波谐振器集成的放大模块,包括晶体管和至少一组薄膜体声波谐振器,所述晶体管和所述至少一组薄膜体声波谐振器集成在一个结构中;所述晶体管包括输入端、输出端和接地端;一组薄膜体声波谐振器包括至少一个薄膜体声波谐振器结构,一个薄膜体声波谐振器结构包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的介质薄膜层;至少所述一组薄膜体声波谐振器设置于所述晶体管的输出端和/或输入端,用于谐波调谐。本发明实施例提供的晶体管与薄膜体声波谐振器集成的放大模块能够对晶体管进行谐波调谐,提高放大模块的效率和线性度。
搜索关键词: 一种 晶体管 薄膜 声波 谐振器 集成 放大 模块
【主权项】:
1.一种晶体管与薄膜体声波谐振器集成的放大模块,其特征在于,包括晶体管和至少一组薄膜体声波谐振器,所述晶体管和所述至少一组薄膜体声波谐振器集成在一个结构中;所述晶体管包括输入端、输出端和接地端;一组薄膜体声波谐振器包括至少一个薄膜体声波谐振器结构,一个薄膜体声波谐振器结构包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的介质薄膜层;所述至少一组薄膜体声波谐振器设置于所述晶体管的输出端和/或输入端,用于谐波调谐;所述晶体管和所述至少一组薄膜体声波谐振器共用背金层和位于所述背金层之上的基片。
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