[发明专利]具有陷波器结构的高隔离度射频开关

摘要

本发明公开了一种具有陷波器结构的高隔离度射频开关，它包括一个基本匹配式单刀单掷射频开关单元和一个桥T型陷波器单元。本发明在基本匹配式单刀单掷射频开关单元的基础上增加了电阻R7b、键合丝寄生电感L2b、键合丝寄生电感L4b和电感L3b。在射频开关为关断态时，电感L2b、电感L4b和电感L3b相串联形成的电感L2b+3b+4b和MOS管M1b、MOS管M2b在关断态时源漏极之间形成的寄生电容，与MOS管M4b在导通态时源漏极之间形成的寄生电阻和电阻R7b构成桥T型陷波器结构。通过调整桥T型陷波器电阻R7b和电感L3b的值可以有针对性的决定所需抑制频率，使用这种拓扑结构可以在选定频段获得比传统射频开关高10～15dB的隔离度。

主权项

一种具有陷波器结构的高隔离度射频开关，包括单刀单掷射频开关单元，所述单刀单掷射频开关单元包括MOS管M1b、MOS管M2b、MOS管M3b、MOS管M4b、MOS管M5b和分别与MOS管M4b的源极、MOS管M5b的源极连接的键合丝寄生电感L1b，其特征在于：所述射频开关还包括桥T型陷波单元，所述桥T型陷波单元包括键合丝寄生电感L2b、电感L3b、键合丝寄生电感L4b、电阻R7b、MOS管M1b和MOS管M2b在关断态时源极与漏极之间形成的寄生电容和MOS管M4b在导通态时源极与漏极之间形成的寄生电阻；所述键合丝寄生电感L2b、电感L3b、键合丝寄生电感L4b依次连接后并联于MOS管M1b的漏极与MOS管M2b的源极之间，键合丝寄生电感L2b与MOS管M1b的漏极连接，键合丝寄生电感L4b与MOS管M2b的源极连接，所述电阻R7b串联于MOS管M4b的源极与键合丝寄生电感L1b的一端之间，键合丝寄生电感L1b的另一端接地；所述单刀单掷射频开关单元还包括电阻R1b、电阻R2b、电阻R3b、电阻R4b、电阻R5b、和电阻R6b，所述MOS管M1b的漏极与信号输入端VIN连接，MOS管M1b的源极与MOS管M2b的漏极连接，MOS管M2b的源极与MOS管M3b的漏极连接，MOS管M3b的源极与信号输出端连接，所述MOS管M1b的栅极经电阻R1b与第一控制端连接，MOS管M2b的栅极经电阻R2b与第一控制端连接，MOS管M3b的栅极经电阻R3b与第一控制端连接；所述MOS管M4b的漏极分别与MOS管M1b的源极、MOS管M2b的漏极连接，MOS管M4b的栅极经电阻R4b与第二控制端连接；所述MOS管M5b的漏极分别与MOS管M2b的源极、MOS管M3b的漏极连接，MOS管M5b的栅极经电阻R5b与第二控制端连接，MOS管M5b的源极经键合丝寄生电感L1b接地；所述电阻R6b并联于MOS管M3b的源极与漏极之间。