[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510430964.4 | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN106373996B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 廖文甲 | 申请（专利权）人： | 台达电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李昕巍;赵根喜 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体装置包含基板、主动层、晶体管与电容。主动层置于基板上。主动层区隔出第一部分与第二部分。晶体管包含主动层的第一部分、源极、漏极与栅极。源极与漏极分别电性连接第一部分。栅极置于第一部分上并置于源极与漏极之间。电容包含主动层的第二部分、第一电极、第一绝缘层与第二电极。第一电极电性连接第二部分与晶体管的源极。第一绝缘层置于第二部分上。第二电极置于第一绝缘层上并电性连接晶体管的栅极。本发明实施例的技术方案通过电容以增加晶体管的栅极‑源极电容，从而降低半导体装置的米勒比例，使半导体装置的操作状态更佳，较容易实现高频工作，且可最小化击穿电流值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包含：/n一基板；/n一主动层，置于该基板上，该主动层区隔出一第一部分与一第二部分；/n一晶体管，置于该基板上，该晶体管包含：/n该主动层的该第一部分；/n一源极与一漏极，分别电性连接该第一部分；以及/n一栅极，置于该第一部分上并置于该源极与该漏极之间；以及一电容，置于该基板上，该电容包含：/n该主动层的该第二部分；/n一第一电极，电性连接该第二部分与该晶体管的该源极；/n一第一绝缘层，置于该第二部分上；以及/n一第二电极，置于该第一绝缘层上并电性连接该晶体管的该栅极；/n一隔离部，置于该主动层中并置于该第一部分与该第二部分之间；/n其中，该主动层于异质接合处产生二维电子气，做为导电通道。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台达电子工业股份有限公司，未经台达电子工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510430964.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
