[发明专利]半导体装置以及包含该半导体装置的电子设备在审
申请号: | 201510431389.X | 申请日: | 2015-07-21 |
公开(公告)号: | CN106373957A | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
发明(设计)人: | 盐津兴一 | 申请(专利权)人: | 三垦电气株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 陶海萍,樊一槿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例提供一种半导体装置以及包含该半导体装置的电子设备,该半导体装置包括基板;绝缘膜,其形成于所述基板上;高耐压高电阻元件,其形成于所述绝缘膜上和/或所述绝缘膜内,一端连接于高压端子,另一端连接于低压端子,并且,随着远离所述高压端子的连接点,所述高耐压高电阻元件的宽度或厚度或之间的间隔增加。本发明实施例的半导体装置通过增大高耐压高电阻元件的外侧的宽度或厚度或间隔来调整该高耐压高电阻元件的电阻,使施加到绝缘膜的电压与高耐压高电阻元件到高压连接端子的距离成比例,从而确保该半导体装置的耐压性和可靠性。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 包含 电子设备 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置包括:基板;绝缘膜,其形成于所述基板上;高耐压高电阻元件,其形成于所述绝缘膜上和/或所述绝缘膜内,一端连接于高压端子,另一端连接于低压端子,并且,随着远离所述高压端子的连接点,所述高耐压高电阻元件的宽度增加。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三垦电气株式会社,未经三垦电气株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510431389.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的