[发明专利]半导体装置以及包含该半导体装置的电子设备在审

专利信息
申请号: 201510431389.X 申请日: 2015-07-21
公开(公告)号: CN106373957A 公开(公告)日: 2017-02-01
发明(设计)人: 盐津兴一 申请(专利权)人: 三垦电气株式会社
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司11127 代理人: 陶海萍,樊一槿
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明实施例提供一种半导体装置以及包含该半导体装置的电子设备,该半导体装置包括基板;绝缘膜,其形成于所述基板上;高耐压高电阻元件,其形成于所述绝缘膜上和/或所述绝缘膜内,一端连接于高压端子,另一端连接于低压端子,并且,随着远离所述高压端子的连接点,所述高耐压高电阻元件的宽度或厚度或之间的间隔增加。本发明实施例的半导体装置通过增大高耐压高电阻元件的外侧的宽度或厚度或间隔来调整该高耐压高电阻元件的电阻,使施加到绝缘膜的电压与高耐压高电阻元件到高压连接端子的距离成比例,从而确保该半导体装置的耐压性和可靠性。
搜索关键词: 半导体 装置 以及 包含 电子设备
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置包括:基板;绝缘膜,其形成于所述基板上;高耐压高电阻元件,其形成于所述绝缘膜上和/或所述绝缘膜内,一端连接于高压端子,另一端连接于低压端子,并且,随着远离所述高压端子的连接点,所述高耐压高电阻元件的宽度增加。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三垦电气株式会社,未经三垦电气株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510431389.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top