[发明专利]基于折叠型基片集成波导的平面魔T

摘要

本发明公开了一种基于折叠型基片集成波导的新型平面魔T，利用折叠型基片集成波导实现H面功分器，代替传统的槽线激励基片集成波导的T型结，实现了平面魔T。具有更小的泄露损耗，更大的功率容量，以及更大的带宽。借助于折叠型基片集成波导和传统的基片集成波导的开路和短路特性，在两个输入端口间实现了较高的隔离度，并且两个输出端口的幅度和相位不平衡度非常小，提高了魔T的性能，简化了设计过程，易于应用到更高的频带。H面和E面T型结的重叠使得该结构具有高集成度，符和现代无线通信平面化、小型化以及高性能的要求。

主权项

基于折叠型基片集成波导的平面魔T，其特征在于，包括上、下层介质基板、顶层金属层、中间金属层、底层金属层、第一至第六金属通孔列，顶层金属层位于上层介质基板的上表面，中间金属层位于上、下层介质基板之间，底层金属层位于下层介质基板的下表面；第一、第二金属通孔列平行，且与顶层金属层、中间金属层、底层金属层构成FSIW，其中，第一金属通孔列连通顶层金属层、中间金属层、底层金属层，第二金属通孔列连通顶层金属层、底层金属层，第二金属通孔列与中间金属层之间存在间隙；第三、第四金属通孔列平行，且与顶层金属层、底层金属层构成第一SIW，其中，第三、第四金属通孔列均连通顶层金属层、底层金属层，第三、第四金属通孔列之间没有中间金属层，且第三金属通孔列与第一金属通孔列在同一直线上；第五、第六金属通孔列平行，且与顶层金属层、中间金属层构成第二SIW，与中间金属层、底层金属层构成第三SIW，其中，第五、第六金属通孔列均连通顶层金属层、中间金属层、底层金属层，且第五金属通孔列与第一金属通孔列垂直且两者的一端相连，第六金属通孔列与第三金属通孔列垂直且两者的一端相连，第五、第六金属通孔列的间距与第三、第四金属通孔列的间距相同；顶层金属层上设置有第一、第二微带线，其中，第一微带线与第一SIW之间通过第一锥形过渡结构连接，作为激励差分端口；第二微带线与第二SIW之间通过第二锥形过渡结构连接，作为第一输出端口；中间金属层上设置有第三微带线、短路支节线，其中，第三微带线与FSIW之间通过带状线连接，作为和端口；中间金属层通过短路支节线与第四金属通孔列连接；底层金属层上设置有第四微带线，第四微带线与第三SIW之间通过第三锥形过渡结构连接，作为第二输出端口；FSIW与第二、第三SIW构成H面T型结，第一SIW与第二、第三SIW构成E面T型结，且H面T型结与E面T型结重合。