[发明专利]半导体元件及其形成方法有效
| 申请号： | 201510432534.6 | 申请日： | 2015-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN106373880B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 廖端泉;陈益坤;戴锦华 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其形成方法。其中，该半导体元件包含一掩模层以及多个间隙壁。该掩模层设置在一目标层上且具有一第一材质及一第二材质。该间隙壁是设置在该掩模层上，其中该间隙壁的一第一部分是设置在该第一材料上，且该间隙壁的一第二部分是设置在该第二材料上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体元件的方法，其特征在于，包含以下步骤：在一目标层上形成一第一图案；在该目标层上形成多个第二图案，其中该第二图案的至少一个是横跨该第一图案；形成多个间隙壁，该间隙壁环绕该第二图案，且位于该第一图案上；以及进行一移除步骤，通过该间隙壁及该第一图案为掩模移除一部分的该目标层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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