[发明专利]一种高纯度WO3/C3N4复合介孔纳米带的制备方法在审

专利信息
申请号: 201510433644.4 申请日: 2015-07-22
公开(公告)号: CN105032466A 公开(公告)日: 2015-11-11
发明(设计)人: 杨为佑;贺之洋;刘龙;侯慧林;郑金桔 申请(专利权)人: 宁波工程学院
主分类号: B01J27/24 分类号: B01J27/24
代理公司: 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 代理人: 张向飞
地址: 315211 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种高纯度WO3/C3N4复合介孔纳米带的制备方法,属于半导体材料制备技术领域。该制备方法为:配制前驱体纺丝液,将配制好的前驱体纺丝液经纺丝得到前驱体纳米材料后干燥,经高温煅烧得到高纯度WO3/C3N4复合介孔纳米带。本发明采用静电纺丝技术,通过在前驱体纺丝液中加入g-C3N4和TS,实现高纯度WO3/C3N4复合介孔纳米带的制备,且该制备工艺简单、可控、重复性好。制成的高纯度WO3/C3N4复合介孔纳米带可用作光电催化剂,实现光电催化性能的提高。
搜索关键词: 一种 纯度 wo sub 复合 纳米 制备 方法
【主权项】:
一种高纯度WO3/C3N4复合介孔纳米带的制备方法,其特征在于,所述制备方法为:配制前驱体纺丝液,将配制好的前驱体纺丝液经纺丝得到前驱体纳米材料后干燥,经高温煅烧得到高纯度WO3/C3N4复合介孔纳米带。
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