[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法

摘要

提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：基板、堆叠结构、外围栅极结构和剩余间隔件。基板包括单元阵列区和外围电路区。堆叠结构设置在单元阵列区上，具有交替地堆叠的电极和绝缘层。外围栅极结构设置在外围电路区上，沿一个方向彼此分隔开并且具有设置在基板上的外围栅极图案和设置在外围栅极图案的侧壁上的外围栅极间隔件。剩余间隔件设置在外围栅极结构的侧壁上，具有堆叠的牺牲图案和绝缘图案。绝缘图案包括与堆叠结构的绝缘层的材料基本相同的材料。

主权项

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基板，包括单元阵列区和外围电路区；堆叠结构，设置在单元阵列区上，堆叠结构包括交替堆叠的多个电极和多个绝缘层；多个第一外围栅极结构，设置在外围电路区的第一区上并沿第一方向延伸，其中，所述多个第一外围栅极结构沿与第一方向交叉的第二方向以第一距离彼此分隔开；多个第一剩余间隔件，设置在第一区中，其中，至少两个第一剩余间隔件设置在两个相邻的第一外围栅极结构的外围栅极间隔件之间；多个第二外围栅极结构，设置在外围电路区的第二区上，其中，所述多个第二外围栅极结构沿第二方向以第二距离彼此分隔开；多个第二剩余间隔件，设置在第二区中，其中，一个第二剩余间隔件设置在两个相邻的第二外围栅极结构的外围栅极间隔件之间；第一外围接触塞，连接到基板并且设置在至少两个第一剩余间隔件之间；以及第二外围接触塞，连接到基板并且贯穿设置在两个相邻的第二外围栅极结构之间的一个第二剩余间隔件，其中，所述多个第一剩余间隔件和所述多个第二剩余间隔件中的每个包括堆叠的牺牲图案和绝缘图案，绝缘图案包括与堆叠结构的所述多个绝缘层的材料相同的材料。