[发明专利]碳化硅半导体器件有效
| 申请号： | 201510434885.0 | 申请日： | 2015-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN105304713B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 内田光亮;日吉透 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅半导体器件。提供了一种具有改善的开关特性的碳化硅半导体器件。MOSFET包括碳化硅层、栅极绝缘膜、栅电极和源电极。碳化硅层包括漂移区、体区和接触区。在主表面中，源电极与接触区相接触。MOSFET被配置成使得源电极相对于接触区的接触电阻不小于1×10‑4Ωcm2且不大于1×10‑1Ωcm2。而且，当在主表面的平面图中看时，接触区的面积不小于体区的面积的10％。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅半导体器件，包括：碳化硅层，所述碳化硅层包括主表面，所述碳化硅层包括：第一杂质区，所述第一杂质区具有第一导电类型，第二杂质区，所述第二杂质区与所述第一杂质区相接触，并且具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，以及第三杂质区，所述第三杂质区与所述第二杂质区相接触，构成所述主表面的一部分，当在所述主表面的平面图中看时被形成在所述第二杂质区中，并且具有所述第二导电类型；栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜形成在所述第二杂质区上；栅电极，所述栅电极形成在所述栅极绝缘膜上；以及电极层，所述电极层在所述主表面中与所述第三杂质区相接触，所述碳化硅半导体器件被配置成使得所述电极层相对于所述第三杂质区的接触电阻不小于1×10‑4Ωcm2且不大于1×10‑1Ωcm2，当在所述主表面的平面图中看时，所述第三杂质区的面积不小于所述第二杂质区的面积的10％，其中，所述碳化硅层进一步包括具有所述第一导电类型的第四杂质区，所述第四杂质区当在所述主表面的平面图中看时被形成在所述第二杂质区中，所述第四杂质区包围所述第三杂质区，并且构成所述主表面的一部分，并且在所述主表面中，所述电极层与所述第三杂质区和所述第四杂质区中的每一个相接触，并且所述碳化硅半导体器件被配置成使得在下述情况下，关系表达式n＜‑0.02RonA+0.7成立，所述情况是：在所述碳化硅层的厚度方向和所述第二杂质区中的载流子的迁移方向上的横截面中所述第四杂质区和所述电极层的接触宽度用单位为μm的数值n表示，并且在导通状态下的所述碳化硅半导体器件的导通电阻用单位为mΩcm2的数值RonA表示。
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