[发明专利]一种同时形成一维和二维光刻胶图形的方法有效
| 申请号： | 201510435445.7 | 申请日： | 2015-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104977803B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 郭晓波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种同时形成一维和二维光刻胶图形的方法，包括：第一步骤，在第一掩膜版上设计一维图形，并且设计二维图形的第一线条图形；第二步骤，在第二掩膜版上设计一维图形的保护图形以及二维图形的第二线条图形；第三步骤，在需形成一维和二维光刻胶图形的硅片上进行光刻胶的涂布和烘烤；第四步骤，用第一步骤设计好的第一掩膜版对完成第三步骤之后的硅片进行第一次曝光；第五步骤，用第二步骤设计好的第二掩膜版对完成第四步骤之后的硅片进行第二次曝光；第六步骤，对完成第五步骤之后的硅片进行显影，以获得所需的一维光刻胶图形和所需的二维光刻胶图形。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 同时 形成 维和 二维 光刻 图形 方法 | ||
【主权项】：
1.一种同时形成一维和二维光刻胶图形的方法，其特征在于，所述的二维光刻胶图形是通过将两块掩膜版上的一维线条图形分别叠加曝光后再经显影获得的；其中，包括：第一步骤：在第一掩膜版上设计一维图形，并且设计二维图形的第一线条图形；第二步骤：在第二掩膜版上设计一维图形的保护图形以及二维图形的第二线条图形；第三步骤：在需形成一维和二维光刻胶图形的硅片上进行光刻胶的涂布和烘烤；第四步骤：用第一步骤设计好的第一掩膜版对完成第三步骤之后的硅片进行第一次曝光；第五步骤：用第二步骤设计好的第二掩膜版对完成第四步骤之后的硅片进行第二次曝光；第六步骤：对完成第五步骤之后的硅片进行显影，以获得所需的一维光刻胶图形和所需的二维光刻胶图形。
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