[发明专利]针对特定重复图形的光学临近效应修正方法有效
申请号: | 201510435966.2 | 申请日: | 2015-07-22 |
公开(公告)号: | CN104991415B | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 齐雪蕊;魏芳;朱骏;吕煜坤;张旭升 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种针对特定重复图形的光学临近效应修正方法,包括:将待修正的整个版图划分成特定重复图形区域和非特定重复图形,其中特定重复图形区域指的是包含重复图形基本单元的版图区域,所述重复图形基本单元是图形对称且含有非水平垂直的边的图形单元;采用常规光学临近效应修正方法修正非特定重复图形区域,以获取第一修正结果;采用限制性光学临近效应修正方法修正特定重复图形区域,以获取第二修正结果;将所述第一修正结果和所述第二修正结果组合拼接起来,作为用于制造光罩的图形。 | ||
搜索关键词: | 针对 特定 重复 图形 光学 临近 效应 修正 方法 | ||
【主权项】:
1.一种针对特定重复图形的光学临近效应修正方法,其特征在于包括:第一步骤:将待修正的整个版图划分成特定重复图形区域和非特定重复图形,其中特定重复图形区域指的是包含重复图形基本单元的版图区域,所述重复图形基本单元是图形对称且含有非水平非垂直的边的图形单元;第二步骤:采用常规光学临近效应修正方法修正非特定重复图形区域,以获取第一修正结果;第三步骤:采用限制性光学临近效应修正方法修正特定重复图形区域,以获取第二修正结果;第四步骤:将所述第一修正结果和所述第二修正结果组合拼接起来,作为用于制造光罩的图形;其中,所述常规光学临近效应修正方法包括:对非特定重复图形区域进行多次模拟和修正,以得到模拟结果与目标版图一致的修正后版图作为所述第一修正结果,其中各次模拟和修正时的关键边的后退值相同;所述限制性光学临近效应修正方法包括:定义重复图形基本单元的关键边;对特定重复图形区域进行多次模拟和修正,以得到模拟结果与目标版图一致的修正后版图作为所述第二修正结果,其中各次模拟和修正时的关键边的后退值不同。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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