[发明专利]一种异质结近红外光敏传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510437074.6 | 申请日： | 2015-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN105097983B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 方国家;宋增才;李博睿 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0296;H01L31/18 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222 | 代理人： | 汪俊锋 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于光电子领域，涉及一种异质结近红外光敏传感器及其制备方法。是由热蒸发气相沉积法制备的碲锌氧复合物与p‑Si形成的异质结光敏传感器，包括p型硅衬底，碲锌氧复合物，顶电极和底电极。其关键在于碲锌氧复合物的制备。这种新型的传感器表现出了波段可调的稳定优良的光敏探测性能，可探测波长从紫外‑可见‑近红外波段调节至限定在1040nm的近红外波段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结近 红外 光敏 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种异质结近红外光敏传感器，其特征在于，是由热蒸发气相沉积法制备的碲锌氧复合物与p‑Si形成的异质结光敏传感器，包括p型硅衬底，碲锌氧复合物，顶电极和底电极，所述碲锌氧复合物的蒸发源是由摩尔比为1：1：（0.05‑0.07）的ZnO粉末、碳粉、碲粉组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
