[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201510437373.X | 申请日： | 2015-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN106711245B | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/0216;H01L31/18;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 高静,吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构的形成方法包括提供基底；在所述基底表面形成半导体膜；在所述半导体膜顶部表面形成石墨烯膜；在所述石墨烯膜顶部表面形成黑磷膜；在所述黑磷膜顶部表面形成图形化的掩膜层；以所述图形化的掩膜层为掩膜，图形化所述黑磷膜、石墨烯膜以及半导体膜，在所述基底表面形成若干分立的半导体层、位于半导体层顶部表面的石墨烯层以及位于石墨烯层顶部表面的黑磷层。本发明提供一种结构性能优越的半导体结构，改善了形成的半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底表面形成半导体膜；在所述半导体膜顶部表面形成石墨烯膜；在所述石墨烯膜顶部表面形成黑磷膜；在所述黑磷膜顶部表面形成图形化的掩膜层；以所述图形化的掩膜层为掩膜，图形化所述黑磷膜、石墨烯膜以及半导体膜，在所述基底表面形成若干分立的半导体层、位于半导体层顶部表面的石墨烯层以及位于石墨烯层顶部表面的黑磷层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
