[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201510437665.3 | 申请日： | 2015-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN106365108A | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 伏广才;张韬 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1提供底部晶圆，在所述底部晶圆上形成有若干MEMS器件和CMOS器件，其中，所述MEMS器件和所述CMOS器件上分别形成有第一接合焊盘；步骤S2提供覆盖晶圆，所述覆盖晶圆上形成有与所述第一接合焊盘相对应的第二接合焊盘；步骤S3将所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘相接合，以使所述底部晶圆和所述覆盖晶圆接合为一体；步骤S4在所述覆盖晶圆中所述第二接合焊盘的上方形成电连接。本发明的优点在于1.降低整体芯片面积，降低成本。2.增强了单颗芯片的功能并有效的提高晶圆芯片生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供底部晶圆，在所述底部晶圆上形成有若干MEMS器件和CMOS器件，其中，所述MEMS器件和所述CMOS器件上分别形成有第一接合焊盘；步骤S2：提供覆盖晶圆，所述覆盖晶圆上形成有与所述第一接合焊盘相对应的第二接合焊盘；步骤S3：将所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘相接合，以使所述底部晶圆和所述覆盖晶圆接合为一体；步骤S4：在所述覆盖晶圆中所述第二接合焊盘的上方形成电连接。
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