[发明专利]一种共源共栅全集成低漏失线性稳压器电路

摘要

本发明公开了一种共源共栅全集成低漏失线性稳压器电路，通过引入共源共栅电流源取代CAFVF‑LDO电路中传统的单晶体管电流源，增大了重载条件下CAFVF‑LDO电路的环路增益；同时结合CCS的结构特点，引入了共源共栅补偿技术，相比此前的CAFVF‑LDO，本发明电路借助很小的片内补偿电容，不仅实现在更低的负载电流条件下稳定工作，而且共源共栅补偿电容还拓宽了重载条件下LDO电路的单位增益频率，进一步改善了电路的负载瞬态响应性能。本发明作为一种共源共栅全集成低漏失线性稳压器电路可广泛应用于集成电路领域。

主权项

一种共源共栅全集成低漏失线性稳压器电路，其特征在于：包括有输出电压控制PMOS（M14）、共栅增益级NMOS（M15）、共源共栅PMOS（M16）、第一偏置电流源（IBIAS1）、第二偏置电流源（IBIAS2）、第一偏置电压源（VBIAS1）、第二偏置电压源（VBIAS2）、控制电压源（VCTRL）以及稳压器输出PMOS功率管（MP）的核心电路；所述稳压器输出PMOS功率管（MP）的源极和第二偏置电流源（IBIAS2）的正端均用于连接电源输入端，所述共源共栅PMOS（M16）的源极与第二偏置电流源（IBIAS2）的负端连接，所述共源共栅PMOS（M16）的栅极与第二偏置电压源（VBIAS2）的正端连接，所述共源共栅PMOS（M16）的漏极分别与共栅增益级NMOS（M15）的漏极、稳压器输出PMOS功率管（MP）的栅极连接，所述共栅增益级NMOS（M15）的栅极与第一偏置电压源（VBIAS1）的正端连接，所述稳压器输出PMOS功率管（MP）的漏极与输出电压控制PMOS（M14）的源极连接，所述共栅增益级NMOS（M15）的源极与输出电压控制PMOS（M14）的漏极连接，所述输出电压控制PMOS（M14）的漏极与第一偏置电流源（IBIAS1）的正端连接，所述输出电压控制PMOS（M14）的栅极与控制电压源（VCTRL）的正端连接，所述稳压器输出PMOS功率管（MP）的漏极为稳压器电路输出端，所述第一偏置电流源（IBIAS1）、第一偏置电压源（VBIAS1）、第二偏置电压源（VBIAS2）和控制电压源（VCTRL）的负端均接地；所述核心电路还包括有共源共栅补偿电容（Ca），所述共源共栅PMOS（M16）的源极和稳压器输出PMOS功率管（MP）的漏极通过共源共栅补偿电容（Ca）连接。