[发明专利]MEMS传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510439014.8 | 申请日： | 2015-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN106365115B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 毛剑宏 | 申请（专利权）人： | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00;B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 李时云 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种MEMS传感器及其制备方法，包括步骤：提供一包含有CMOS电路的第一半导体基底，及包含有MEMS器件的第二半导体基底；键合第一半导体基底和第二半导体基底；在所述第二半导体基底上形成第一互连插塞；在所述第一半导体基底和第二半导体基底上形成贯通第二半导体基底的第二互连插塞；第二半导体基底表面形成导电互连第一互连插塞和第二互连插塞的金属互连层，可以解决CMOS电路和MEMS器件之间的电学连接问题，简化封装方法。 | ||
| 搜索关键词： | mems 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS传感器的制备方法，其特征在于，包括步骤:提供一包含有CMOS电路的第一半导体基底，及包含有MEMS器件的第二半导体基底，所述MEMS器件为压力传感器或惯性传感器，其中，所述第一半导体基底内的CMOS电路包括控制电路和与控制电路相连的互连结构，所述第二半导体基底包括与MEMS器件相连的互连结构；在第一半导体基底表面形成第一二氧化硅层，将第二半导体基底背面的衬底磨薄并形成第二二氧化硅层，使第一二氧化硅层和第二二氧化硅层相对，键合第一半导体基底和第二半导体基底；在所述第二半导体基底上形成第一互连插塞，所述第一互连插塞连接第二半导体基底内的互连结构；在所述第一半导体基底和第二半导体基底上形成贯通第二半导体基底的第二互连插塞，所述第二互连插塞连接第一半导体基底内的互连结构；第二半导体基底表面形成导电互连第一互连插塞和第二互连插塞的金属互连层。
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