[发明专利]一种石墨烯半导体屏蔽料的制备方法在审
| 申请号： | 201510439136.7 | 申请日： | 2015-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN105131409A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 杨程;和玉光;戴圣龙;张晓艳;燕绍九 | 申请（专利权）人： | 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 |
| 主分类号： | C08L23/08 | 分类号： | C08L23/08;C08K9/00;C08K7/00;C08K3/04 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100095*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高压电力电缆的屏蔽材料的制备方法，具体为一种石墨烯半导体屏蔽料的制备方法。本发明通过先配制分散均匀的石墨烯纳米片(GR)水溶液，搅拌下加入乙烯-醋酸乙烯酯(EVA)乳液，两者混合絮凝后，得到GR/EVA固体，用去离子水过滤冲洗至中性后真空冷冻干燥得GR/EVA母胶，通过双辊筒开炼机充分混合，加硫化剂处理后在平板硫化机上成型，获得石墨烯半导体屏蔽料。本发明的制备工艺简单、成本低、能耗低，易于控制；制得的石墨烯半导体屏蔽料具有低密度、半导电性能优越、耐压高、抗张强度高、超光滑且耐水树，产品可作为中高压电力电缆的理想屏蔽材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 半导体 屏蔽 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯半导体屏蔽料的制备方法，所述制备方法包括下述步骤：1)频率为20～25kHz、功率为70～90％下超声处理石墨烯纳米片配成的水溶液15～30min；2)在300～500rpm速率下，将乙烯‑醋酸乙烯酯乳液加入步骤1)的石墨烯溶液中搅拌30～60min，得絮状混合料；3)用去离子水冲洗所述混合料，过滤，真空冷冻干燥，得石墨烯半导体屏蔽料的母料；4)开炼混合10～15h，在160～180℃、压力为8～15MPa下硫化步骤3)所得的母料，得石墨烯半导体屏蔽料。
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