[发明专利]一种二氧化锡量子点的低温制备方法有效
申请号: | 201510439281.5 | 申请日: | 2015-07-23 |
公开(公告)号: | CN105060339B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 刘世民;柴卫平 | 申请(专利权)人: | 大连交通大学 |
主分类号: | C01G19/02 | 分类号: | C01G19/02;B82Y40/00 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司21212 | 代理人: | 贾汉生,李馨 |
地址: | 116028 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明公开一种粒径尺寸在2~4nm的高分散性、高结晶性氧化锡量子点的低温制备方法‑溶解氧化法。该方法利用HCl与H2O形成的Cl‑‑H3O+的双电层作用以及溶液中HNO3的氧化作用制备氧化锡量子点,该方法制备的氧化锡量子点粒径小、分散性能和结晶性能好;且不需要高温煅烧,具有工艺简单、成本低、制备周期短等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化 量子 低温 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种二氧化锡量子点的低温制备方法,其特征在于:包括以下操作步骤,(1)常温下利用HCl水溶液溶解Sn至黑色胶体状,获得A溶液,其中,HCl与Sn的摩尔比为6~10:1,去离子水与Sn的摩尔比为15~40:1;(2)向A溶液中添加5~50g/L的 PVA溶液,搅拌后静置老化获得B溶液,其中,PVA与Sn的质量比为0.13~0.42:1;(3)向B溶液中加入HNO3溶液,再经过搅拌、70~85℃反应1~3h、离心分离后即得到超细氧化锡量子点固体;其中,HNO3与Sn的摩尔比为8~16:1,且HNO3的量大于HCl。
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