[发明专利]一种二氧化锡量子点的低温制备方法有效

专利信息
申请号: 201510439281.5 申请日: 2015-07-23
公开(公告)号: CN105060339B 公开(公告)日: 2017-03-15
发明(设计)人: 刘世民;柴卫平 申请(专利权)人: 大连交通大学
主分类号: C01G19/02 分类号: C01G19/02;B82Y40/00
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司21212 代理人: 贾汉生,李馨
地址: 116028 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种粒径尺寸在2~4nm的高分散性、高结晶性氧化锡量子点的低温制备方法‑溶解氧化法。该方法利用HCl与H2O形成的Cl‑‑H3O+的双电层作用以及溶液中HNO3的氧化作用制备氧化锡量子点,该方法制备的氧化锡量子点粒径小、分散性能和结晶性能好;且不需要高温煅烧,具有工艺简单、成本低、制备周期短等特点。
搜索关键词: 一种 氧化 量子 低温 制备 方法
【主权项】:
一种二氧化锡量子点的低温制备方法,其特征在于:包括以下操作步骤,(1)常温下利用HCl水溶液溶解Sn至黑色胶体状,获得A溶液,其中,HCl与Sn的摩尔比为6~10:1,去离子水与Sn的摩尔比为15~40:1;(2)向A溶液中添加5~50g/L的 PVA溶液,搅拌后静置老化获得B溶液,其中,PVA与Sn的质量比为0.13~0.42:1;(3)向B溶液中加入HNO3溶液,再经过搅拌、70~85℃反应1~3h、离心分离后即得到超细氧化锡量子点固体;其中,HNO3与Sn的摩尔比为8~16:1,且HNO3的量大于HCl。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连交通大学,未经大连交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510439281.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top