[发明专利]基于NBTI效应PMOS管参数退化的失效预警装置

摘要

本发明提供一种基于NBTI效应PMOS管参数退化的失效预警装置，包括依次连接的负偏压电荷泵电路、参数监测电路、信号处理电路以及信号锁存输出电路，负荷电荷泵电路输出‑VDD到0V连续可调的负偏压至参数监测电路，参数监测电路将‑VDD到0V连续可调的负偏压施加至待失效预警PMOS管，施加VDD电压至标准PMOS管，待失效预警PMOS管加速退化，输出两者阈值电压至信号处理电路，信号处理电路对两个阈值电压进行处理生成模拟信号输出至信号锁存输出电路，信号锁存输出电路将模拟信号与第一参考电压比较，生成预警信号，实现对失效预警PMOS管的参数退化失效预警，确保高性能集成电路的稳定性。

主权项

一种基于NBTI效应PMOS管参数退化的失效预警装置，其特征在于，包括依次连接的负偏压电荷泵电路、参数监测电路、信号处理电路以及信号锁存输出电路，其中，所述参数监测电路中内置有标准PMOS管以及连接待失效预警PMOS管的接口，所述接口包括源极接口、漏极接口以及栅极接口；所述负偏压电荷泵电路产生‑VDD到0V连续可调的负偏压，并输出‑VDD到0V连续可调的负偏压至所述参数监测电路，所述参数监测电路施加‑VDD到0V连续可调的负偏压至所述待失效预警PMOS管的接口，施加VDD电压至所述标准PMOS管，所述参数监测电路监测标准PMOS管的阈值电压和待失效预警PMOS管的阈值电压，并输出标准PMOS管的阈值电压和待失效预警PMOS管的阈值电压至所述信号处理电路，所述信号处理电路对标准PMOS管的阈值电压和待失效预警PMOS管的阈值电压进行处理，生成模拟信号，并输出所述模拟信号至所述信号锁存输出电路，所述信号锁存输出电路将所述模拟信号与第一参考电压比较，生成预警信号。