[发明专利]一种基于忆阻器的三维结构存储器在审
| 申请号： | 201510440583.4 | 申请日： | 2015-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN104978996A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 莫夫;谭志平 | 申请（专利权）人： | 广东科技学院 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 张明 |
| 地址： | 523000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及存储器技术领域，公开了一种基于忆阻器的三维结构存储器，包括存储器基体、控制电路和地址缓冲装置，所述控制电路设置于存储器基体内，所述地址缓冲装置与控制电路电性连接，还包括地址译码装置及与地址译码装置电性连接的阵列存储装置，所述地址译码装置与地址缓冲装置电性连接，所述阵列存储装置还连接有放大电路，所述放大电路连接有输出缓冲器；本三维结构存储器采用忆阻器作为存储介质，利用忆阻器的堆栈特性，实现大容量的存储，而且，由于忆阻器的能耗低，使整体的存储器能耗大幅下降，本存储器还具有结构简单的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 忆阻器 三维 结构 存储器 | ||
【主权项】：
一种基于忆阻器的三维结构存储器，包括存储器基体、控制电路和地址缓冲装置，所述控制电路设置于存储器基体内，所述地址缓冲装置与控制电路电性连接，其特征在于：还包括地址译码装置及与地址译码装置电性连接的阵列存储装置，所述地址译码装置与地址缓冲装置电性连接，所述阵列存储装置还连接有放大电路，所述放大电路连接有输出缓冲器。
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