[发明专利]成像装置及其驱动方法

摘要

本发明涉及成像装置及其驱动方法。根据本发明实施例的成像装置包括多个像素。每个像素具有活性区域，该活性区域在平面图中包括第一区域和第二区域，在第一区域和第二区域之间具有电极。作为活性区域的一部分且位于电极下方的部分形成电容器的至少一部分。第一区域包括第一导电类型的第一半导体区域，第一半导体区域形成浮置扩散区的至少一部分，并且第二区域包括与第一导电类型相反的第二导电类型的第二半导体区域。在第二半导体区域上设置有绝缘膜。 1

主权项

1.一种成像装置，其特征在于，包括：

多个像素，所述多个像素中的每一个包括

光电转换单元，

浮置扩散区，被配置为保持在光电转换单元中生成的电荷，

放大器晶体管，其与浮置扩散区电连接，以及

电容器，包括电极，该电容器被设置为使得该电容器与浮置扩散区的电连接能根据提供给电极的信号进行切换，

其中电容器与浮置扩散区的电连接被切换以改变放大器晶体管的输入节点的电容值，

其中，所述多个像素中的每一个具有活性区域，该活性区域包括第一区域和第二区域，在平面图中第一区域和第二区域被布置为在这两者之间具有所述电极，第二区域的至少一部分不与所述电极重叠，

其中，在平面图中，第二区域被设置在绝缘体隔离部和所述电极之间，

其中，作为活性区域的一部分且位于所述电极下方的部分形成所述电容器的至少一部分，

其中，第一区域包括第一导电类型的第一半导体区域，第一半导体区域形成浮置扩散区的至少一部分，

其中，第二区域包括具有与第一导电类型相反的第二导电类型的第二半导体区域，

其中，在第二半导体区域上设置有绝缘膜，并且

其中，第二半导体区域形成与绝缘体隔离部的交界面。

2.根据权利要求1所述的成像装置，其中，所述绝缘膜形成与第二半导体区域的交界面。

3.根据权利要求1或2所述的成像装置，其中，所述活性区域由所述绝缘体隔离部限定，并且

其中，第二半导体区域位于第二区域的至少一部分中直到等于绝缘体隔离部的底部的深度的深度。

4.根据权利要求1或2所述的成像装置，其中，在第二半导体区域下方设置有第二导电类型的半导体区域，该半导体区域具有比第二半导体区域低的杂质浓度。

5.根据权利要求3所述的成像装置，其中，所述绝缘体隔离部形成与沟道停止区域的交界面。

6.根据权利要求1或2所述的成像装置，其中，接触插塞延伸通过绝缘膜并与第二半导体区域连接。

7.根据权利要求1或2所述的成像装置，其中，在平面图中，在第二半导体区域与所述电极之间设置有具有与第二半导体区域的导电类型相同的导电类型的半导体区域，该半导体区域具有比第二半导体区域低的杂质浓度。

8.根据权利要求1或2所述的成像装置，其中，活性区域包括第一活性区域和第二活性区域，光电转换单元和第二导电类型的第三半导体区域位于所述第一活性区域中，第一半导体区域和第二半导体区域位于所述第二活性区域中，并且

其中，浮置扩散区包括第一半导体区域和第三半导体区域。

9.根据权利要求8所述的成像装置，其中

所述多个像素中的每一个还包括转移晶体管，该转移晶体管被配置为将光电转换单元的信号转移到第三半导体区域，

其中，在平面图中，第一活性区域和第二活性区域在第一方向上并排地布置，

其中，在平面图中，第一半导体区域和第二半导体区域位于第二活性区域中以便被布置在垂直于第一方向的第二方向上，并且在平面图中，所述电极被设置在第二活性区域中以便位于第一半导体区域与第二半导体区域之间，并且

其中，在平面图中，光电转换单元和第三半导体区域位于第一活性区域中以便被布置在第二方向上，并且在平面图中，转移晶体管的栅电极被设置在第一活性区域中以便位于光电转换单元与第三半导体区域之间。

10.根据权利要求1或2所述的成像装置，其中，所述电容器包括表面型MOS电容器或掩埋型MOS电容器。

11.根据权利要求1或2所述的成像装置，其中，所述电容器包括PN结电容器。

12.一种成像装置，其特征在于，包括：

多个像素，所述多个像素中的每一个包括

光电转换单元，

浮置扩散区，被配置为保持在光电转换单元中生成的电荷，

放大器晶体管，与浮置扩散区电连接，以及

电容器，包括电极，该电容器被设置为使得该电容器与浮置扩散区的电连接能根据提供给所述电极的信号进行切换，

其中，所述多个像素中的每一个具有活性区域，该活性区域包括第一区域和第二区域，在平面图中第一区域和第二区域被布置为在这两者之间具有所述电极，第二区域的至少一部分不与所述电极重叠，

其中，在平面图中，第二区域被设置在绝缘体隔离部和所述电极之间，

其中，所述活性区域由绝缘体隔离部限定，

其中，作为活性区域的一部分且位于所述电极下方的部分形成所述电容器，

其中，第一区域包括第一导电类型的第一半导体区域，所述第一半导体区域形成浮置扩散区的至少一部分，

其中，第二区域包括与第一导电类型相反的第二导电类型的半导体区域，该半导体区域在第二区域中直到等于绝缘体隔离部的底部的深度的深度，

其中，该半导体区域的一部分被设置在第二半导体区域上，第二半导体区域具有比该半导体区域的其它部分高的浓度，

其中，接触插塞与第二半导体区域连接；并且

其中，第二半导体区域形成与绝缘体隔离部的交界面。