[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201510442736.9 | 申请日： | 2015-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN106365109A | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 伏广才;张先明;刘庆鹏;万久平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1提供半导体衬底，在所述半导体衬底中所要形成空腔的位置形成有离子注入区域，以定义所述空腔的图案；步骤S2在所述半导体衬底上形成MEMS元件和CMOS元件，其中，所述MEMS元件位于所述离子注入区域的上方；步骤S3图案化所述MEMS元件所在的区域，以形成若干开口，露出所述离子注入区域；步骤S4选用湿法蚀刻去除所述离子注入区域，以在所述MEMS元件的下方形成所述空腔。通过本发明所述方法所述离子注入区域与所述半导体衬底的蚀刻选择比在400以上，能够更好地控制所述空腔的形成，使整个工艺过程更加稳定，进一步提高所述MEMS器件的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中所要形成空腔的位置形成有离子注入区域，以定义所述空腔的图案；步骤S2：在所述半导体衬底上形成MEMS元件和CMOS元件，其中，所述MEMS元件位于所述离子注入区域的上方；步骤S3：图案化所述MEMS元件所在的区域，以形成若干开口，露出所述离子注入区域；步骤S4：选用湿法蚀刻去除所述离子注入区域，以在所述MEMS元件的下方形成所述空腔。
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