[发明专利]形成具有栅极的半导体器件结构的方法有效
| 申请号： | 201510442797.5 | 申请日： | 2015-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN105742184B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 张家玮;巫柏奇;方文翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于形成半导体器件结构的方法。该方法包括在衬底上方形成介电层。衬底具有鳍结构，并且介电层具有沟槽，该沟槽暴露出鳍结构的部分。该方法包括在沟槽中形成栅极材料层。该方法包括在栅极材料层上方形成平坦化层。平坦化层包括第一材料，第一材料与栅极材料层的第二材料和介电层的第三材料不同。该方法包括实施蚀刻工艺以去除平坦化层和栅极材料层的第一上部以在沟槽中形成栅极。本发明的实施例还涉及形成具有栅极的半导体器件结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 栅极 半导体器件 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：在衬底上方形成介电层，其中，所述衬底具有鳍结构，并且所述介电层具有沟槽，所述沟槽暴露出所述鳍结构的部分；在所述沟槽中形成栅极材料层；在所述栅极材料层上方形成平坦化层，其中，所述平坦化层包括第一材料，所述第一材料与所述栅极材料层的第二材料和所述介电层的第三材料不同；实施蚀刻工艺以去除所述平坦化层和所述栅极材料层的第一上部以在所述沟槽中形成栅极；在形成所述栅极之后，在所述栅极上方形成绝缘层以填充所述沟槽；以及去除位于所述沟槽外部的所述绝缘层，其中，位于所述沟槽中的所述绝缘层覆盖所述栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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