[发明专利]一种太赫兹基波混频模块

摘要

本发明公开了一种太赫兹基波混频模块，包括金属上基座和金属下基座，金属上基座和金属下基座形成的腔体内设置本振输入端的匹配波导、芯片通道、射频输入端的匹配波导、中频输出电路和直流偏置电路；芯片通道的一端连接本振输入端匹配波导，另一端射频输入端的匹配波导，芯片通道内设置混频芯片，混频芯片粘接到金属上基座上，直流偏置电路上设置去耦电容，去耦电容为片上电容。本发明基于太赫兹集成电路微纳制备技术，具有结构紧凑、安装简便、集成度高的特点；本发明中射频及本振两路输入经由各自不同的通路完成信号传输，具有射频本振隔离性能好的特点；本发明具有混频损耗小的特点；同时具有成本低，一致性好，便于规模制造的特点。

主权项

一种太赫兹基波混频模块，其特征在于，包括金属上基座（1）和金属下基座（2），金属上基座（1）和金属下基座（2）形成的腔体内分别设置结构相同的射频输入端的匹配波导（3）、芯片通道（4）、本振输入端的匹配波导（5）、中频输出电路（6）、太赫兹混频芯片（7）和直流偏置电路（8）；所述太赫兹混频芯片（7）设置在所述芯片通道（4）内，所述太赫兹混频芯片（7）分别于所述射频输入端的匹配波导（3）、本振输入端的匹配波导（5）和中频输出电路（6）连接，所述直流偏置电路（8）通过去耦电容（78）与所述太赫兹混频芯片（7）连接；所述混频芯片（7）包括芯片本体（71）和分别设置于芯片本体（71）上的太赫兹肖特基管对（72）、本振输入端的波导微带过渡（73）、射频输入端的波导微带过渡（74）、中频高低阻低通滤波器（75）、第一梁式引线（76）和第二梁式引线（77）；所述芯片本体（71）的两条长边分别通过第一梁式引线（76）和第二梁式引线（77）固定在芯片通道（4）内，太赫兹肖特基管对（72）的两端连接到金属上基座（1）或金属下基座（2）上以形成直流和射频回路，所述射频输入端的波导微带过渡（74）和所述本振输入端的波导微带过渡（73）分别设置于太赫兹肖特基管对（72）的两侧，所述本振输入端的波导微带过渡（73）和中频高低阻低通滤波器（75）相连，中频高低阻低通滤波器（75）和中频输出电路（6）相连以进行中频输出，射频输入端的波导微带过渡（74）和射频输入端的匹配波导（3）相连，本振输入端的波导微带过渡（73）和本振输入端的匹配波导（5）相连。