[发明专利]探测传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201510443738.X | 申请日： | 2015-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN106365110A | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 杨天伦;毛剑宏;刘孟彬 | 申请（专利权）人： | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 李时云 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种探测传感器的制备方法，包括提供一半导体基底；在所述半导体基底上形成一牺牲层，所述牺牲层中形成有通孔；在所述通孔的侧壁形成一第一介质层；在所述第一介质层内形成一导电层，所述导电层位于所述第一介质层的内壁并覆盖所述通孔的底部；在所述导电层内形成一第二介质层，以在所述通孔内形成插塞，所述插塞包括由内至外依次形成所述第一介质层、导电层以及第二介质层，所述第二介质层暴露出所述导电层的顶部；去除所述牺牲层。本发明还提供一种探测传感器。本发明的探测传感器及其制备方法，能够很好的解决CMOS电路和MEMS器件之间的电学连接和支撑问题。 | ||
| 搜索关键词： | 探测 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种探测传感器的制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体基底；在所述半导体基底上形成一牺牲层，所述牺牲层中形成有通孔；在所述通孔的侧壁形成一第一介质层；在所述第一介质层内形成一导电层，所述导电层位于所述第一介质层的内壁并覆盖所述通孔的底部；在所述导电层内形成一第二介质层，以在所述通孔内形成插塞，所述插塞包括由内至外依次形成所述第一介质层、导电层以及第二介质层，所述第二介质层暴露出所述导电层的顶部；去除所述牺牲层。
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