[发明专利]一种全波段太赫兹三倍频模块有效

专利信息
申请号: 201510443954.4 申请日: 2015-07-24
公开(公告)号: CN105024647B 公开(公告)日: 2018-10-23
发明(设计)人: 杨非;王宗新;孟洪福;孙忠良 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H03B19/14 分类号: H03B19/14
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 娄嘉宁
地址: 210018 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种全波段太赫兹三倍频模块,包括金属上基座和金属下基座,金属上基座和金属下基座形成的腔体内分别设置结构相同的输入端的匹配波导、芯片通道和输出端的匹配波导;芯片通道内设置太赫兹全波段倍频芯片,所述太赫兹全波段倍频芯粘接在金属上基座上,所述太赫兹全波段倍频芯片分别与输入端的匹配波导和输出端的匹配波导连接。本发明基于太赫兹集成电路微纳制备技术,具有结构紧凑、安装简便、集成度高的特点;本发明具有全波段带宽的特点;本发明具有无需外加偏置的特点;同时具有成本低,一致性好,便于规模制造的特点。
搜索关键词: 一种 波段 赫兹 倍频 模块
【主权项】:
1.一种全波段太赫兹三倍频模块,其特征在于,包括金属上基座(1)和金属下基座(2),金属上基座(1)和金属下基座(2)形成的腔体内分别设置结构相同的输入端的匹配波导(3)、芯片通道(4)和输出端的匹配波导(5);芯片通道(4)内设置太赫兹全波段倍频芯片(7),所述太赫兹全波段倍频芯片 (7)粘接在金属上基座(1)上,所述太赫兹全波段倍频芯片(7)分别与输入端的匹配波导(3)和输出端的匹配波导(5)连接;所述太赫兹全波段倍频芯片(7)包括芯片本体(71)和分别设置于芯片本体(71)上的太赫兹肖特基反并联管对(72)、输入端波导微带耦合单元(73)、输出端波导微带耦合单元(74)和高低阻低通滤波器(75);太赫兹肖特基反并联管对(72)内形成直流和射频回路,太赫兹肖特基反并联管对(72)的两端分别与输出端波导微带耦合单元(74)与高低阻低通滤波器(75)相连,高低阻低通滤波器(75)和输入端波导微带耦合单元(73)相连,输入端波导微带耦合单元(73)和输入端的匹配波导(3)相连,输出端波导微带耦合单元(74)和输出端的匹配波导(5)相连;所述太赫兹全波段倍频芯片(7)为砷化镓薄膜或石英基底,太赫兹全波段倍频芯片(7)的厚度为10~15μm;所述太赫兹肖特基反并联管对(72)的拓扑结构为反并联结构。
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