[发明专利]一种薄膜太阳能电池铜铟镓硒光吸收层的制备方法

摘要

本发明公开薄膜太阳能电池铜铟镓硒光吸收层的制备方法，包括以下硒化过程：(1)加热有机硒源，使汽化成蒸汽并挥发；(2)用载气把有机硒源蒸汽经高温活化管道通入反应腔室；(3)金属预制层，按预定加热程序完成硒化流程，形成具有良好结晶的铜铟镓硒光吸收层。本发明采用低毒价廉的有机硒源做为硒化的材料，操作相对安全，能有效降低生产成本，经过高温活化的有机硒源，能促使形成良好铜铟镓硒结晶。本发明工艺简单，可重复性高，适合大规模工业化生产。

主权项

薄膜太阳能电池铜铟镓硒光吸收层的制备方法，其特征在于：包括以下硒化过程：(1)将已沉积好金属背电极和前驱金属合金层铜铟镓基板载入硒化炉反应腔内，抽至一定真空度，用高纯N2对反应腔进行数次吹扫，排出空气，然后抽真空至10^‑2Pa以下；(2)加热有机硒源，使其汽化，用载气把汽化后的有机硒源送入高温活化管道进行高温活化；所述的高温活化加热温度为250℃～550℃；(3)把高温活化后的有机硒源通入反应腔中，对前驱金属合金层铜铟镓进行硒化热处理得到铜铟镓硒CuIn_(1‑x)Ga_xSe₂结晶；(4)降温排出反应腔内反应气体，结束硒化。