[发明专利]具有并联电阻器的高压器件在审
| 申请号： | 201510446553.4 | 申请日： | 2015-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN105938851A | 公开（公告）日： | 2016-09-14 |
| 发明（设计）人： | 霍克孝;蔣昕志;陈奕寰;蔡俊琳;陈益民 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L23/64;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 高压半导体器件包括：设置在衬底中的具有第一导电类型的源极和具有第一导电类型的漏极；第一介电组件，设置在源极和漏极之间的衬底的表面上；漂移区，设置在衬底中，其中，漂移区具有第一导电类型；第一掺杂区，具有第二导电类型并且设置在介电组件下方的漂移区内，第二导电类型与第一导电类型相反；第二掺杂区，具有第二导电类型并且设置在漂移区内，其中，第二掺杂区至少部分地围绕源极和漏极中的一个；电阻器，直接设置在介电组件上；以及栅极，直接设置在介电组件上，其中，栅极电连接至电阻器。本发明的实施例还涉及具有并联电阻器的高压器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 并联 电阻器 高压 器件 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：源极和漏极，设置在衬底中，所述源极具有第一导电类型，所述漏极具有所述第一导电类型；第一介电组件，设置在所述源极和所述漏极之间的所述衬底的表面上；漂移区，设置在所述衬底中，其中，所述漂移区具有所述第一导电类型；第一掺杂区，具有第二导电类型并且设置在所述第一介电组件下方的所述漂移区内，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；第二掺杂区，具有所述第二导电类型并且设置在所述漂移区内，其中，所述第二掺杂区至少部分地围绕所述源极和所述漏极中的一个；电阻器，直接设置在所述第一介电组件上；以及栅极，直接设置在所述第一介电组件上，其中，所述栅极电连接至所述电阻器。
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