[发明专利]多端口SRAM器件有效
| 申请号： | 201510446556.8 | 申请日： | 2015-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN105845172B | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种多端口存储单元，包括：位于第一金属层中的第一导线、位于第二金属层中的第二导线、位于第三金属层中的第三导线和位于第四金属层中的第四导线。第一导线包括：写位线，与写位线节点电耦合；第一读位线，与第一读位线节点电耦合；以及第二读位线，与第二读位线节点电耦合。第二导线包括与写字线节点电耦合的写字线。第四导线包括：第一读字线，与第一读字线节点电耦合；以及第二读字线，与第二读字线节点电耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 多端 sram 器件 | ||
【主权项】：
1.一种芯片中的静态随机存取存储器(SRAM)单元，包括：存储电路，具有第一数据节点、第二数据节点、电源电压节点和第一参考电压节点；写端口电路，与所述第一数据节点耦合并且具有第一写字线节点和第一写位线节点；第一读端口电路，与所述第一数据节点耦合并且具有第一读字线节点、第一读位线节点和第二参考电压节点；第二读端口电路，与所述第二数据节点耦合并且具有第二读字线节点、第二读位线节点和第三参考电压节点；多条第一导线，在所述芯片的第一金属层中沿第一方向延伸，所述多条第一导线包括：第一电源电压线，与所述电源电压节点电耦合；第一参考电压线，与所述第一参考电压节点电耦合；第一写位线，与所述第一写位线节点电耦合；第一读位线，与所述第一读位线节点电耦合；和第二读位线，与所述第二读位线节点电耦合；多条第二导线，在所述芯片的第二金属层中并且在所述第一金属层的上方沿第二方向延伸，所述多条第二导线包括：写字线，与所述第一写字线节点电耦合；多条第三导线，在所述芯片的第三金属层中并且在所述第二金属层的上方沿所述第一方向延伸；以及多条第四导线，在所述芯片的第四金属层中并且在所述第三金属层的上方沿所述第二方向延伸，所述多条第四导线包括：第一读字线，与所述第一读字线节点电耦合；和第二读字线，与所述第二读字线节点电耦合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510446556.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
