[发明专利]非易失性存储器件及其操作方法在审
| 申请号： | 201510446606.2 | 申请日： | 2015-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN105719692A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 郑升炫 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种非易失性存储器件包括：存储区，适用于响应于命令执行高速缓冲操作；存储控制器，适用于设置电流在存储区的高速缓冲操作期间达到峰值的峰值电流时段；以及命令锁存单元，适用于接收命令，将命令传送至存储控制器，以及当下一个命令在峰值电流时段期间被接收时在峰值电流时段之后锁存下一个命令并且将下一个命令传送至存储控制器。在与第一峰值电流时段相对应的高速缓冲操作完成后，与第二峰值电流时段相对应的下一个高速缓冲操作被执行，以便可能减少整个的峰值电流。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件，包括：存储区，适用于响应于命令而执行高速缓冲操作；存储控制器，适用于设置峰值电流时段，其中在峰值电流时段电流在存储区的高速缓冲操作期间达到峰值；以及命令锁存单元，适用于：接收命令，将命令传送至存储控制器，以及当在峰值电流时段期间下一个命令被接收时在峰值电流时段之后锁存下一个命令并且将下一个命令传送至存储控制器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510446606.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：NAND存储器的多比特编程方法及装置
- 下一篇：电子设备及其操作方法
