[发明专利]一种高锰合金薄膜Mn53Ni23Ga24的制备方法在审
| 申请号： | 201510447634.6 | 申请日： | 2015-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN104947053A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 董桂馥 | 申请（专利权）人： | 大连大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;C23C14/58 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人： | 胡景波 |
| 地址： | 116622 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高锰合金薄膜Mn53Ni23Ga24的制备方法，按如下方法进行：按照摩尔份数比53:23:24分别取Mn、Ni、Ga金属单质作为靶材原料，将靶材原料放置于非自耗真空电弧炉熔内，抽真空至5×10-3Pa后，充入保护气，得到圆形靶材；将预处理后的基板和靶材放入真空系统中，抽真空至1.0×10-4Pa，基板温度为500～700℃，基板与靶材间距离为3～5cm；再用激光器发射激光，控制频率为3～4Hz，溅射1～3小时，制得要求厚度的薄膜；最后将薄膜在800～900℃下退火0.5～3h，制备出高锰合金薄膜Mn53Ni23Ga24。本发明制备的Mn53Ni23Ga24合金薄膜的成分更精确，粗糙度低，表面更平整，各向异性强，马氏体相变温度与块体材料相当；本发明所需原料价格低廉、储量丰富，制备的合金薄膜韧性好、强度大、工艺简单，易于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合金 薄膜 mn sub 53 ni 23 ga 24 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高锰合金薄膜Mn53Ni23Ga24的制备方法，其特征在于，按如下方法进行：按照摩尔份数比53:23:24分别取Mn、Ni、Ga金属单质作为靶材原料，将靶材原料放置于非自耗真空电弧炉熔内，抽真空至5×10‑3Pa后，充入保护气，得到圆形靶材；将预处理后的基板和靶材放入真空系统中，抽真空至1.0×10‑4Pa，基板温度为500～700℃，基板与靶材间距离为3～5cm；再用激光器发射激光，控制频率为3～4Hz，溅射1～3小时，制得要求厚度的薄膜；最后将薄膜在800～900℃下退火0.5～3h，制备出高锰合金薄膜Mn53Ni23Ga24。
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