[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201510448032.2 | 申请日： | 2015-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN106409752B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;周俊卿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底内形成有底层金属层；形成覆盖于基底表面以及底层金属层表面的刻蚀阻挡层；形成覆盖于刻蚀阻挡层表面的介质层；形成贯穿介质层的开口，且开口底部暴露出刻蚀阻挡层表面；采用刻蚀气体包括CF |
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| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内形成有底层金属层，且所述基底暴露出所述底层金属层顶部表面；形成覆盖于所述基底表面以及底层金属层表面的刻蚀阻挡层；形成覆盖于所述刻蚀阻挡层表面的介质层；刻蚀所述介质层，形成贯穿所述介质层的开口，且所述开口底部暴露出刻蚀阻挡层表面；采用刻蚀气体包括CF3I的干法刻蚀工艺刻蚀位于所述开口底部的部分厚度的刻蚀阻挡层，且在刻蚀去除部分厚度的刻蚀阻挡层的同时，在所述开口侧壁表面形成保护层；在形成所述保护层之后，采用各向同性干法刻蚀工艺刻蚀去除剩余厚度的刻蚀阻挡层，直至暴露出底层金属层顶部表面；在所述暴露出的底层金属层表面形成导电层，且所述导电层填充满所述开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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