[发明专利]一种光电传感器冷压焊倒装互连方法有效
申请号: | 201510449230.0 | 申请日: | 2015-07-28 |
公开(公告)号: | CN105140337B | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | 胡旭;杨春丽;吴思晋;封远庆;铁晓滢 | 申请(专利权)人: | 昆明物理研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 昆明正原专利商标代理有限公司53100 | 代理人: | 金耀生 |
地址: | 650223 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本发明公开一种光电传感器冷压焊倒装互连方法,在玻璃基底上用蜡粘接光电敏感单元,并在光电敏感单元上通过常规沉积方法间隔设置第一粘接金属,再在第一粘接金属表面设置第一粘接金属,得到光电敏感元;在信号放大读出电路上间隔设置第二粘接金属,再在第二粘接金属表面设置第二粘接金属,得到信号处理元;将第二粘接金属和第一粘接金属对准,并在室温下施加压力完成冷压焊,使信号处理元的第二粘接金属发生形变,并嵌入到光电敏感元的第一粘接金属中,再去除玻璃基底和蜡,即得到倒装互连的光电传感器。本发明避免了软质金属加热回流对敏感元的损害,不仅简化工艺、降低工艺成本,还增加了光电传感器倒装互连的应用范围。 | ||
搜索关键词: | 一种 光电 传感器 冷压焊 倒装 互连 方法 | ||
【主权项】:
一种光电传感器冷压焊倒装互连方法,其特征在于经过下列各步骤:第一步、在玻璃基底上用蜡粘接光电敏感元件,并在光电敏感元件上通过常规沉积方法间隔沉积厚度为200~500nm的第一粘接金属,再在第一粘接金属表面通过常规沉积方法沉积厚度为2000~4000nm的第一软质金属,得到光电敏感单元;第二步、在信号放大读出电路上通过常规沉积方法间隔沉积厚度为200~500nm的第二粘接金属,再在第二粘接金属表面通过常规沉积方法沉积厚度为5000~8000nm的第二软质金属,使成型后的第二软质金属的上端面的面积为光电敏感元件上第一软质金属面积的25~50%,得到信号处理单元;第三步、将第二步所得信号处理单元的第二软质金属和第一步所得光电敏感单元的第一软质金属对准,并在室温下施加3~4Kg的压力,并持续5~10min,即完成冷压焊,使信号处理单元的第二软质金属发生形变,并嵌入到光电敏感单元的第一软质金属中,实现同种金属的融合,形成从光电敏感单元到信号处理元的电信号通路,再去除玻璃基底和蜡,即得到倒装互连的光电传感器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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