[发明专利]一种碳化硅MOSFETs功率器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201510449403.9 | 申请日： | 2015-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN105140283A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 查祎英;王方方;郑柳;田亮;吴昊;朱韫晖;夏经华;刘瑞;李永平;李玲;杨霏 | 申请（专利权）人： | 国网智能电网研究院;国家电网公司;国网浙江省电力公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/04;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)功率器件及其制作方法，该器件包括：n型的碳化硅衬底，所述衬底上的n型碳化硅漂移层，所述漂移层包含具有一定间隔的含有n型碳化硅源区的p型碳化硅区，所述漂移层上的n型碳化硅外延层，所述外延层被所述n型碳化硅区间隔，所述外延层上的氧化层，所述氧化层上的n型多晶层；自p型碳化硅区上的n型碳化硅外延区延伸至n型漂移层上的n型碳化硅外延区的n型沟道。本发明可减少经过离子注入和高温退火处理后的SiC和栅介质之间的界面态密度，减少器件的性能退化，提高沟道载流子的有效迁移率。本发明方法利用栅接触多晶层作为源离子注入掩膜，简化了碳化硅MOSFET器件的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mosfets 功率 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅MOSFETs功率器件，其特征在于该器件包括：1)双注入碳化硅MOSFET：n型的碳化硅衬底，所述衬底上的n型碳化硅漂移层，所述漂移层包含具有间隔的含n型碳化硅源区的p型碳化硅区，所述漂移层上的n型碳化硅外延层，所述外延层被所述n型碳化硅区间隔，所述外延层上的氧化层，所述氧化层上的n型多晶层；2)n型沟道：自p型碳化硅区上的n型碳化硅外延区延伸至n型漂移层上的n型碳化硅外延区；3)栅接触：位于栅介质层上，氮或磷注入的n型碳化硅之间；4)基区接触：位于p型碳化硅区和n型碳化硅区内。
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