[发明专利]一种基于掺杂型NiO空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于掺杂型NiO空穴传输层的反式平面结构钙钛矿太阳能结构及其制备方法。属于新材料太阳能电池领域，现有技术中钙钛矿太阳能电池存在电池稳定性差、光电转换性能差等问题，本发明提供了一种基于掺杂型NiO空穴传输层的反式平面结构钙钛矿太阳能电池，其包括在导电基底上沉积一层掺杂一定浓度的Mg、Li等杂原子的NiO致密层，作为空穴传输层，接着制备一层钙钛矿薄膜(APbX₃，A＝CH₃NH₃⁺或CH(NH₂)₂⁺或两者混合物；X＝Cl^-、Br^-、I^-或其混合物)，随后沉积一层电子传输层PCBM，接着沉积一层界面修饰层(包括LiF、BCP或TiO_X的一种)，最后沉积一层金属电极(Ag或Al)。所述掺杂型NiO致密膜作为空穴传输层，电池性能稳定、高效、迟滞现象小，有利于实现钙钛矿太阳能电池产业化。

主权项

一种反式平面结构钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述太阳能电池从下至上由FTO导电玻璃、NiO致密层、钙钛矿薄膜、电子传输层、界面修饰层和金属电极组成；所述致密层为Li或Mg掺杂NiO层或Li‑Mg共掺杂NiO层；改善了致密层的透过率，提高了致密层的导电性，所述钙钛矿薄膜为APbX₃，A＝CH₃NH₃⁺或CH(NH₂)₂⁺或两者混合物；X＝Cl^‑、Br^‑、I^‑或其混合物。