[发明专利]为晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)应用缓解焊接偏移的结构和方法有效

专利信息
申请号: 201510450702.4 申请日: 2015-07-28
公开(公告)号: CN105967137B 公开(公告)日: 2018-10-23
发明(设计)人: 游绍祺;洪嘉明;黄信锭;陈相甫;张华伦;戴文川 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00;H01L23/48
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明涉及具有应力吸收盖衬底的晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)。盖衬底通过布置在盖衬底的上表面上的接合环和接合焊盘接合至管芯。衬底通孔(TSV)从接合焊盘延伸穿过盖衬底至盖衬底的下表面。此外,上表面中的凹槽在接合焊盘周围延伸和沿着接合环的侧壁延伸。该凹槽吸收诱导应力,从而缓解管芯中的任何器件偏移。本发明的实施例还涉及为晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)应用缓解焊接偏移的结构和方法。
搜索关键词: 晶圆级 芯片 尺寸 封装 wlcsp 应用 缓解 焊接 偏移 结构 方法
【主权项】:
1.一种晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP),包括:管芯;盖衬底,具有延伸至所述盖衬底的上表面内的凹槽;一个或多个接合元件,布置在所述盖衬底的所述上表面上并且位于由所述凹槽围绕的位置处,其中,所述一个或多个接合元件配置为将所述管芯接合至所述盖衬底,所述一个或多个接合元件包括接合环和接合焊盘,所述凹槽在所述接合焊盘周围延伸和沿着所述接合环的侧壁延伸;衬底通孔,延伸穿过所述盖衬底并且配置为提供所述管芯和下面的焊球之间的电连接,所述焊球设置在所述盖衬底的下表面下方。
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