[发明专利]一种带消隐功能的驱动电路有效

专利信息
申请号: 201510451775.5 申请日: 2015-07-28
公开(公告)号: CN105049030B 公开(公告)日: 2018-02-13
发明(设计)人: 刘洋;俞德军;宁宁;梁孝亿;段开锋;于奇 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H03K19/0944 分类号: H03K19/0944
代理公司: 电子科技大学专利中心51203 代理人: 吴姗霖
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提出了一种带消隐功能的驱动电路,属于功率MOSFET驱动技术领域。包括驱动级模块、推挽输出级模块、功率管、消隐控制模块、消隐采样模块;所述驱动级模块的输入端连接输入驱动信号,输出端连接推挽输出级模块;所述推挽输出级模块输出端连接功率管的栅端、消隐控制模块和消隐采样模块;所述消隐控制模块连接输入驱动信号和消隐采样模块;所述消隐采样模块连接功率管的漏端;所述功率管的源端接地。本发明电路驱动级具有交错延时功能,避免了驱动级推挽输出PMOS管、NMOS管同时导通;同时,采样开关的使用结合消隐控制逻辑,解决了对片内功率MOSFET输出电流进行采样的毛刺问题,达到了消隐目的。
搜索关键词: 一种 带消隐 功能 驱动 电路
【主权项】:
一种带消隐功能的驱动电路,其特征在于,包括驱动级模块、推挽输出级模块、功率管、消隐控制模块、消隐采样模块;所述驱动级模块的输入端连接输入驱动信号,输出端连接推挽输出级模块;所述推挽输出级模块输出端连接功率管的栅端、消隐控制模块和消隐采样模块;所述消隐控制模块连接输入驱动信号和消隐采样模块;所述消隐采样模块连接功率管的漏端;所述功率管的源端接地;所述驱动级模块包括九个反相器(inv1~inv9)和二个或非门(nor1、nor2);其中,第一反相器(inv1)输入端连接输入驱动信号,输出端连接第一或非门(nor1)的一输入端;第一或非门(nor1)的另一输入端连接第九反相器(inv9)输出端,输出端连接第二反相器(inv2)输入端;第二反相器(inv2)输出端连接第三反相器(inv3)输入端;第三反相器(inv3)输出端连接第四反相器(inv4)输入端;第四反相器(inv4)的输出端连接推挽输出级模块和第五反相器(inv5)的输入端;第二或非门(nor2)一输入端接输入驱动信号,另一输入端接第五反相器(inv5)的输出端,第二或非门(nor2)输出端接第六反相器(inv6)输入端;第六反相器(inv6)输出端连接第七反相器(inv7)输入端;第七反相器(inv7)输出端连接第八反相器(inv8)输入端;第八反相器(inv8)输出端连接第九反相器(inv9)输入端;第九反相器(inv9)的输出端连接推挽输出级模块和第一或非门(nor1)的另一输入端;所述推挽输出级模块包括第一NMOS管(MN1)和第一PMOS管(MP1);第一PMOS管(MP1)的栅端连接驱动级模块中第四反相器(inv4)的输出端,第一PMOS管(MP1)的源端连接输入电源,第一PMOS管(MP1)的漏端连接第一NMOS管(MN1)的漏端、功率管(MN2)的栅端、消隐控制模块和消隐采样模块;第一NMOS管(MN1)的栅端接驱动级模块中第九反相器(inv9)的输出端,第一NMOS管(MN1)源端接地;所述消隐控制模块包括7个反相器(inv10~inv16)、与非门(nand1)、电阻(R1)、第一电容(C1)和第二电容(C2);电阻(R1)一端连接推挽输出级模块中第一NMOS管(MN1)的漏端和第一PMOS管(MP1)的漏端,另一端连接第十反相器(inv10)的输入端;第十反相器(inv10) 的输出端连接第十一反相器(inv11)的输入端和第一电容(C1),第一电容(C1)的另一端接地;第十一反相器(inv11)的输出端连接第十二反相器(inv12)的输入端和第二电容(C2),第二电容(C2)的另一端接地;第十二反相器(inv12)的输出端连接第十三反相器(inv13)的输入端;与非门(nand1)一输入端连接输入驱动信号,另一输入端连接第十三反相器(inv13)的输出端,输出端连接第十四反相器(inv14)的输入端;第十四反相器(inv14)输出端接第十五反相器(inv15)输入端;第十五反相器(inv15)输出端接第十六反相器(inv16)输入端;第十六反相器(inv16)输出端接消隐采样模块;所述消隐采样模块包括第三NMOS管(MN3)和第四NMOS管(MN4);第四NMOS管(MN4)的漏端连接功率管(MN2)的漏端和输入电流端口,第四NMOS管(MN4)的栅端连接消隐控制模块中第十六反相器(inv16)输出端,第四NMOS管(MN4)的源端连接第三NMOS管(MN3)的漏端和输出端口;第三NMOS管(MN3)的栅端连接功率管(MN2)的栅端,第三NMOS管(MN3)的栅端连接推挽输出级模块中第一NMOS管(MN1)的漏端和第一PMOS管(MP1)的漏端,第三NMOS管(MN3)的源端接地。
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