[发明专利]一种石墨烯场效应晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201510452107.4 | 申请日： | 2015-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN105140284A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 赵珉;褚卫国;董凤良;闫兰琴;徐丽华 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/66;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;侯桂丽 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种石墨烯场效应晶体管，所述晶体管通过在有源区部分设计具有跨越源、漏端特征的顶栅结构，从而在同一栅长下有源区上方的栅图形实际尺寸比传统石墨烯顶栅场效应晶体管对应部分的图形尺寸大，在相同的电子束直写曝光套刻对准精度下提高了器件制作的成品率。此外，该结构使得沟道区域与源端或漏端的间距只有一个栅介质层的厚度，有效减小了非栅控沟道的通路电阻，从而减小器件的寄生电阻，增大输出电流；而在器件有源区非沟道区域沉积的氧化硅绝缘层，大大减小了顶栅与源端和漏端交叠区域引入的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯场效应晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：(i)衬底层；(ii)设置于衬底层上的第一绝缘层；(iii)设置于第一绝缘层上的石墨烯层，所述石墨烯层在第一绝缘层上的投影为有源区；(iv)设置于石墨烯层上的源漏电极层；(v)设置于源漏电极层上，以及石墨烯层上位于源电极和漏电极之间的沟道上的第二绝缘层；(vi)设置于有源区非沟道区域第二绝缘层上的第三绝缘层；(vii)顶栅电极，跨越源电极和漏电极。
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