[发明专利]一种以镓液滴作为缓冲层外延GaN的结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201510453824.9 | 申请日： | 2015-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN105070804A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 逯瑶;曲爽;王成新;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00;H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种以镓液滴作为缓冲层外延GaN的结构及其制备方法，以镓液滴作为缓冲层外延GaN的结构，自下而上依次设置有衬底、缓冲层和GaN层，所述缓冲层为镓液滴层，镓液滴层生长在衬底上，镓液滴层上外延GaN层。其制备方法是采用金属有机物化学气相沉积法，在衬底上进行镓液滴沉积，制备镓液滴层，在镓液滴层上生长GaN层。本发明通过采用镓液滴层作为衬底与GaN外延层之间的缓冲层，以获得低应力、高质量的GaN外延层，降低LED器件的次品率，提高LED器件的质量，延长使用周期，生长的GaN外延层具有较低密度的位错，降低器件的漏电流，提升抗静电能力，有效地缓解了衬底层与GaN层之间的晶格失配和热膨胀系数失配的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镓液滴 作为 缓冲 外延 gan 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种以镓液滴作为缓冲层外延GaN的结构，自下而上依次设置有衬底、缓冲层和GaN层，其特征是，所述缓冲层为镓液滴层，镓液滴层生长在衬底上，镓液滴层上外延GaN层。
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