[发明专利]一种LED芯片寿命加速估算方法

摘要

本发明提供了一种LED芯片寿命加速估算方法，其包括有选两个样品、老化前两个不同反向电压下初始反向电流的测量、高温下加快光通量衰减来进行老化测试、老化后两个不同反向电压下反向电流的测量、和寿命的公式估算这几个步骤，这样通过施加两个不同反向电压来测得样品在光衰减前后的反向电流，再利用计算公式就可加速估算出LED芯片的寿命，从而缩短产品研发周期，为改善LED芯片寿命提供了更有力的保障，并能有效缩短LED芯片寿命估算时间，减小试验成本。

主权项

1.一种LED芯片寿命加速估算方法，其特征在于，包括以下步骤：A、选样品对同一批次的LED芯片随机选取样品2个，分别编号为1号样品、2号样品，在300K温度环境中，给1号样品加额定工作电流，测量得到初始光通量φ0；B、老化前的测量给1号样品加恒定反向电压V1，测量得到初始反向电流I01；给1号样品加恒定反向电压V2，测量得到初始反向电流I02；C、老化测试将1号样品放入第1个测试箱，2号样品放入第2个测试箱，第1个和第2个测试箱分别设定测试温度为T1和T2，其中300K≤T1＜T2，第1个和第2个测试箱分别设定测试电流为额定电流，开始老化测试，选定测试箱温度较高的那个样品来测光通量，当其光通量衰减为初始光通量的70％时，这两个样品都停止老化，记录老化时间t1；D、老化后测量从2个测试箱取出测试样品，给样品分别加恒定反向电压V1，1号样品测量得到反向电流I11，2号样品测量得到反向电流I12；给样品分别加恒定反向电压V2，1号样品测量得到反向电流I21，2号样品测量得到反向电流I22；E、寿命估算将三组条件：1、T＝300K，t＝0，2、T＝T₁，t＝t₁，3、T＝T₂，t＝t₁，分别代入如下寿命估算公式得到方程组解方程组得到将条件T＝300K，代入寿命估算公式解得LED芯片寿命时间为