[发明专利]半导体衬底及选择性生长半导体的方法在审
| 申请号： | 201510454436.2 | 申请日： | 2015-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN105140267A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 王安琦;程志渊;陈韬 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 邱启旺 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体衬底及选择性生长半导体的方法，所述半导体衬底包含一个用于半导体材料生长的孔和一个促使半导体材料横向生长的腔，孔的底面是晶体生长面，孔的侧壁和腔的内表面均是用于限制半导体材料生长的介质层。通过上述衬底可实现半导体材料的选择性生长，最终形成大面积的半导体薄膜材料。本发明的特殊衬底结构结合选择性生长，可以有效抑制半导体材料生长过程中的位错等缺陷的传播，从而显著提升半导体材料质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 选择性 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体衬底，其特征在于，所述衬底包括孔（1）和腔（2），腔（2）位于孔（1）的顶部，且与孔（1）相通；孔（1）的底面为晶体生长面（11），侧壁为介质层表面；所述腔（2）的内表面均为介质层表面；所述腔（2）的顶面为平面，腔（2）的顶面面积与孔（1）的底面面积之比大于3：1，腔（2）开有开口（21）；所述晶体生长面含有一个由单晶构成的单晶面。
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