[发明专利]一种过温保护电路

摘要

本发明公开了一种过温保护电路，包括恒定电流产生电路，输出控制电路，输出整形电路，NPN晶体管Q0为控制开关管，滞回控制管M4管既可以为NMOS管也可以为PMOS管，通过过温后引入额外的电流实现温度的滞回，且可以通过调节M4管的宽长比设置滞回温度的大小，本发明提出的过温保护电路结构简单，无需任何高精度的电压比较器，所用器件数量少，输出精度高，能准确的在热关断温度阈值点产生关断信号，便于调试，且具有温度滞回功能，滞回温度设置灵活，防止热振荡现象的产生，非常适合于在电源和驱动电路等芯片中使用。

主权项

一种过温保护电路，其特征在于，包括：恒定电流产生电路，输出控制电路，输出整形电路，其中，所述的恒定电流产生电路包括：第二电阻R2、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2，其中第二电阻R2的一端与电源电压VCC相连，第二NMOS管MN2的栅极与漏极相连，并且与第二电阻R2的另一端和第三NMOS管MN3的栅极相连，第一PMOS管MP1的栅极和漏极相连，并与第二PMOS管MP2的栅极相连，第一PMOS管MP1的漏极和第三NMOS管MN3的漏极相连，第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2的源极接电源电压，第二NMOS管MN2和第三NMOS管MN3的源极接地电位；第二PMOS管MP2的漏极连接第一电阻R1的一端；所述的输出控制电路包括：第一电阻R1、第五NMOS管MN5、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、滞回控制管M4和NPN晶体管Q0，其中，第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4和第五PMOS管MP5的栅极均与第二PMOS管MP2的栅极相连，第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4和第五PMOS管MP5的源极与电源电压VCC相连，第五NMOS管MN5的漏极与第五PMOS管MP5的漏极相连，第五NMOS管MN5的源极与地电位相连；所述的输出整形电路包括：第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第六PMOS管MP6和第七PMOS管MP7，第六PMOS管MP6的栅极和第六NMOS管MN6的栅极相连，并和第五NMOS管MN5的漏极相连，第七PMOS管MP7的栅极和第七NMOS管MN7的栅极相连，并分别和第六PMOS管MP6和第六NMOS管MN6的漏极相连，第七PMOS管MP7的漏极和第七NMOS管MN7的漏极相连，并作为过温保护电路的输出端，第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7的源极和电源电压相连，第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7的源极和地电位相连；第一电阻R1的一端与NPN管Q0的基极相连，并且产生第一电压节点A，Q0管的集电极与第四PMOS管MP4的漏极和第五NMOS管MN5的栅极相连，第一电阻R1的另一端和Q0管的发射极均与地电位相连，所述滞回控制管M4管为NMOS管，栅极与过温保护电路的输出端相连，漏极与第三PMOS管MP3的漏极相连，源极与NPN晶体管Q0的基极相连；或者，所述滞回控制管M4管为PMOS管，栅极分别与第六NMPS管MN6和第六PMOS管MP6的漏极相连，源极与第三PMOS管MP3的漏极相连，漏极与NPN晶体管Q0的基极相连。