[发明专利]单片式湿法清洗方法有效
申请号: | 201510455538.6 | 申请日: | 2015-07-29 |
公开(公告)号: | CN105006424B | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 姚嫦娲 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,尹英 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种单片式湿法清洗方法,包括将整个晶圆固定置于旋转平台上,使晶圆的中心偏离旋转平台的中心;旋转平台和晶圆均以旋转平台的中心为旋转中心且以第一转速进行旋转;进行药液喷淋过程,机械手臂摆动,并且带动喷淋头摆动,使喷淋头以旋转平台的中心为摆动中心进行摆动,形成摆动轨迹,使药液喷淋到晶圆的整个上表面;提高旋转平台的转速到第二转速,然后,进行去离子水喷淋过程,其中,机械手臂将喷淋头置于晶圆中心上方,使喷淋头以晶圆的中心为定点进行去离子水的定点喷淋;完成去离子水喷淋过程之后,调整旋转平台的转速到第三转速,对晶圆进行干燥过程;将晶圆取出旋转平台。本发明克服了旋转的晶圆中心受力为零的缺陷。 | ||
搜索关键词: | 单片 湿法 清洗 方法 | ||
【主权项】:
一种单片式湿法清洗方法,采用的单片式湿法清洗设备具有用于带动晶圆旋转的旋转平台,用于向所述晶圆上喷淋液体的喷淋头,以及与所述喷淋头连接的用于移动所述喷淋头的机械手臂,其特征在于,所述单片式湿法清洗方法包括:步骤01:将整个所述晶圆固定置于所述旋转平台上,并且使所述晶圆的中心偏离旋转平台的中心;步骤02:所述旋转平台和所述晶圆均以所述旋转平台的中心为旋转中心且以第一转速进行旋转;步骤03:进行药液喷淋过程,其中,所述机械手臂摆动,并且带动所述喷淋头摆动,使所述喷淋头以所述旋转平台的中心为摆动中心进行摆动,使药液喷淋到所述晶圆的整个上表面;步骤04:提高所述旋转平台的转速到第二转速,停止药液喷淋过程,然后,进行去离子水喷淋过程,其中,所述机械手臂将所述喷淋头置于所述晶圆中心上方,使所述喷淋头以所述晶圆的中心为定点,在晶圆和旋转平台以第二转速进行旋转过程中,对晶圆进行去离子水的定点喷淋;步骤05:完成所述去离子水喷淋过程之后,调整所述旋转平台的转速到第三转速,对所述晶圆进行干燥过程;步骤06:将所述晶圆取出所述旋转平台。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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