[发明专利]离子注入层光刻胶膜厚的优化方法

摘要

本发明公开了一种离子注入层光刻胶膜厚的优化方法，包括：提供一测试晶圆；在所述测试晶圆上形成光刻胶，光刻胶膜厚在所述测试晶圆上呈连续梯度分布；测量测试晶圆上不同位置处的光刻胶膜厚；将涂覆有光刻胶的测试晶圆划分为曝光显影区和离子注入测试区，对曝光显影区进行曝光显影并制作关键尺寸摇摆曲线；将预定能量的离子注入到离子注入测试区，并确定符合离子注入阻挡要求的光刻胶膜厚范围；根据离子注入阻挡要求的光刻胶膜厚范围和关键尺寸摇摆曲线中的极点，确定离子注入层光刻胶的最佳膜厚。本发明降低了测量晶圆的使用量，减少了工艺步骤，降低了测试晶圆的制作成本，同时找到最合适的光刻胶厚度点。

主权项

1.一种离子注入层光刻胶膜厚的优化方法，包括：步骤1：提供一测试晶圆；步骤2：在所述测试晶圆上形成光刻胶，光刻胶膜厚在所述测试晶圆上呈连续梯度分布；步骤3：测量测试晶圆上不同位置处的光刻胶膜厚；步骤4：将涂覆有光刻胶的测试晶圆划分为曝光显影区和离子注入测试区，对曝光显影区进行曝光显影并制作关键尺寸摇摆曲线；将预定能量的离子注入到离子注入测试区，并确定符合离子注入阻挡要求的光刻胶膜厚范围；步骤4包括：步骤41：将涂覆有光刻胶的测试晶圆划分为曝光显影区和离子注入测试区，所述曝光显影区和离子注入测试区的光刻胶膜厚呈连续梯度分布；步骤42：将曝光显影区划分成多个相同尺寸的曝光单元，对曝光单元进行曝光显影，将掩模版上的图案逐个复制到曝光单元的光刻胶上；步骤43：测量所述晶圆表面曝光显影区每个曝光单元上相同图案对应光刻胶膜厚的关键尺寸，制作光刻胶膜厚与关键尺寸的关系曲线；步骤44：将预定能量的离子注入所述离子注入测试区，测试所述离子注入测试区上不同位置处的离子量，将不同位置处的离子量与目标离子量进行比较，确定符合离子注入阻挡要求的光刻胶膜厚范围；步骤5：根据离子注入阻挡要求的光刻胶膜厚范围和关键尺寸摇摆曲线中的极点，确定离子注入层光刻胶的最佳膜厚。