[发明专利]一种AMOLED像素电路的控制方法

摘要

本发明公开了AMOLED像素电路的控制方法，包括：打开第一TFT开关管和第二TFT开关管，分别使第一电源和第二电源处于低电平和高电平，使数据输入端处于高电平；关闭第一TFT开关管和打开第二TFT开关管，第一电源和第二电源分别跳跃至高电平和低电平，使数据输入端处于高电平；关闭第一TFT开关管和打开第二TFT开关管，使第一电源和第二电源都处于高电平，数据输入端输入数据电平；打开第一TFT开关管和关闭第二TFT开关管，使第一电源和第二电源处于高电平，数据输入端输入数据电压；关闭第一TFT开关管和第二TFT开关管，使第一电源和第二电源分别处于高电平和低电平。本电路具有更高的补偿精度。

主权项

1.一种AMOLED像素电路的控制方法，所述AMOLED像素电路包括第一TFT开关管、第二TFT开关管、TFT驱动管、电容和OLED，所述OLED的阳极和阴极分别与第一电源和所述TFT驱动管的漏极连接，所述TFT驱动管的源极与第二电源连接，所述TFT驱动管的栅极通过第二TFT开关管与数据输入端连接，所述第一TFT开关管连接在所述OLED的阴极和所述TFT驱动管的栅极之间，所述TFT驱动管的栅极通过所述电容接地，其特征是，所述控制方法包括如下步骤：在第一阶段，打开所述第一TFT开关管和第二TFT开关管，分别使所述第一电源和第二电源处于低电平和高电平，所述TFT驱动管被关闭，使所述数据输入端处于第一数据高电平Vdata1；在第二阶段，关闭所述第一TFT开关管和打开第二TFT开关管，所述第一电源和第二电源分别跳跃至第一高电平和低电平，使所述数据输入端处于第一数据高电平，所述TFT驱动管被打开，所述OLED的阴极处的电压通过所述TFT驱动管放电，所述放电时长其中，C_S为所述电容的容量，C_OLED为所述OLED反偏时等效的电容容量，μ_FET是所述TFT驱动管的场效应迁移率，Ci是所述TFT驱动管绝缘层电容，W/L是所述TFT驱动管的沟道宽长比，ΔV_th,max所述TFT驱动管的最大阈值电压漂移量；在第三阶段，编程期，数据输入端DATA输入数据电平V_data，关闭所述第一TFT开关管和打开第二TFT开关管，使所述第一电源处于第一高电平和第二电源处于高电平，所述数据输入端输入数据电平V_data2，所述TFT驱动管被关闭；此时d点的电压为其中，其中，V_ind代表不受ΔV_th影响的部分，V_th0是TFT驱动管T1的初始阈值电压，V_data2表示第二阶段数据输入端DATA的电压，ΔV_th是TFT驱动管T1的阈值电压漂移量，μ_FET是TFT的场效应迁移率，Ci是TFT绝缘层电容，W/L是TFT的沟道宽长比；在第四阶段，打开所述第一TFT开关管和关闭第二TFT开关管，使所述第一电源处于第二高电平和第二电源处于高电平，所述数据输入端输入数据电压；所述第二高电平低于所述第一高电平；在第五阶段，关闭所述第一TFT开关管和第二TFT开关管，使所述第一电源处于第一高电平和第二电源处于低电平；OLED被点亮，流过OLED的电流IOLED：其中，OLED的驱动电压即为其中，与ΔVth有关的电压误差Verror：在时，其中C_S为所述电容的容量，C_OLED为所述OLED反偏时等效的电容容量，μ_FET是所述TFT驱动管的场效应迁移率，Ci是所述TFT驱动管绝缘层电容，W/L是所述TFT驱动管的沟道宽长比，ΔV_th,max所述TFT驱动管的最大阈值电压漂移量；最大电压误差V_error,max为：