[发明专利]压力传感器芯片及制备方法、绝压传感器芯片有效
| 申请号： | 201510456679.X | 申请日： | 2015-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106404237B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 黄贤;谢军;潘锦峰 | 申请（专利权）人： | 浙江盾安人工环境股份有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22;G01L9/04;G01L13/06 |
| 代理公司： | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人： | 雷志刚 |
| 地址： | 311835 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种压力传感器芯片及制备方法和绝压传感器芯片。压力传感器芯片包括依次设置的玻璃底座、硅基座和硅膜片。硅基座的上表面设有第一凹腔和第二凹腔，第二凹腔的下方设有连通第二凹腔与硅基座下表面的贯通空腔。贯通空腔的内环位于第二凹腔内环的外围且贯通空腔内环与外环之间的距离小于第二凹腔内环与外环之间的距离。硅膜片固定于硅基座的上表面。在硅膜片表面对应第一凹腔的区域边缘设有绝压压敏电阻和输出绝压信号的第一惠斯通电桥。在硅膜片表面对应第二凹腔的区域边缘设有差压压敏电阻和输出差压信号的第二惠斯通电桥。玻璃底座设有连通贯通空腔与所述玻璃底座外部的通气孔。本申请量程范围大并能实现差压和绝压同步测量。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 芯片 制备 方法 传感器 | ||
【主权项】：
一种压力传感器芯片，包括依次设置的玻璃底座(1)、硅基座(2)和硅膜片(3)，其特征在于，所述硅基座(2)的上表面设置有第一凹腔(4)，在第一凹腔(4)外围、间距第一凹腔(4)设置有环形第二凹腔(5)，第二凹腔(5)的下方设有连通第二凹腔(5)与所述硅基座(2)下表面的环形贯通空腔(6)；所述贯通空腔(6)的内环位于第二凹腔(5)内环的外围，且所述贯通空腔(6)内环与外环之间的距离小于第二凹腔(5)内环与外环之间的距离；所述硅膜片(3)固定于所述硅基座(2)的上表面并覆盖第一凹腔(4)和第二凹腔(5)；在所述硅膜片(3)表面对应第一凹腔(4)的区域边缘，设置有绝压压敏电阻和输出绝压信号的第一惠斯通电桥；以及，在所述硅膜片(3)表面对应第二凹腔(5)的区域边缘，设置有差压压敏电阻和输出差压信号的第二惠斯通电桥；所述玻璃底座(1)设置有连通所述贯通空腔(6)与所述玻璃底座(1)外部的通气孔(11)。
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