[发明专利]一种半导体表面微纳米结构的加工方法有效
| 申请号： | 201510458556.X | 申请日： | 2015-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105152123B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 詹东平;张杰;田中群;田昭武 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82Y40/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司35204 | 代理人： | 张松亭,姜谧 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体表面微纳米结构的加工方法，其特征在于包括如下步骤(1)在纳米压印模板的工作表面镀上一层金属催化剂，形成压印模板电极；(2)用该压印模板电极在恒温的金属辅助刻蚀溶液中与待加工的半导体材料通过直接压印的接触方式形成肖特基结，金属辅助刻蚀溶液中的氧化剂在金属表面自发还原的同时，向上述半导体材料注入空穴，使之发生氧化分解，从而将压印模板表面的微纳米结构直接批量复制到上述半导体材料的表面。本发明的加工方法可以使金属辅助刻蚀能够以电化学纳米压印的工作模式进行加工，能够在半导体表面直接高效、批量的复制准三维结构、多级台阶结构和连续曲面结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 表面 纳米 结构 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体表面微纳米结构的加工方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)在纳米压印模板的工作表面镀上一层20～70nm厚度的金属催化剂，形成压印模板电极，该纳米压印模板的工作表面的微纳米结构为准三维直立结构、多级台阶结构和/或连续曲面结构；(2)用该压印模板电极在35～38℃的恒温的金属辅助刻蚀溶液中与待加工的半导体材料通过直接压印的接触方式形成肖特基结，金属辅助刻蚀溶液中的氧化剂在金属表面自发还原的同时，向上述半导体材料注入空穴，使之发生氧化分解，从而将压印模板表面的微纳米结构直接批量复制到上述半导体材料的表面，上述直接压印中压印模板电极和上述半导体材料的接触力始终保持1～10N。
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