[发明专利]逐次逼近模数转换器的电容阵列结构在审

专利信息
申请号: 201510458676.X 申请日: 2015-07-30
公开(公告)号: CN105071812A 公开(公告)日: 2015-11-18
发明(设计)人: 张斌 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H03M1/38 分类号: H03M1/38
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 郭四华
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种逐次逼近模数转换器的电容阵列结构,电容阵列分成多段子电容阵列,在相邻的两个子电容阵列之间连接有耦合电容,在各子电容阵列中选择性的设置调节电容,各调节电容的上极板连接对应的子电容阵列的各位权重电容的上极板,各调节电容的下极板接反相参考电压,通过设置调节电容使调节电容和耦合电容的大小都分别为单位电容的倍数,且使对应段的子电容阵列内部的最低位的位权重电容的权重为前一段的子电容阵列内部的最高位的位权重电容的权重的两倍。本发明能降低电容阵列的总电容值从而降低电容阵列的面积,能避免采用分数电容从而能提高转换精度。
搜索关键词: 逐次 逼近 转换器 电容 阵列 结构
【主权项】:
一种逐次逼近模数转换器的电容阵列结构,特征在于:逐次逼近模数转换器的输出数字信号为N位,电容阵列包括N个位权重电容,所述电容阵列分成多段子电容阵列,每段所述子电容阵列分别包括多个所述位权重电容,各所述子电容阵列的所述位权重电容的个数和为N;每一段所述子电容阵列内部的对应位的所述位权重电容为相邻的低一位的所述位权重电容的两倍;最低段的所述子电容阵列中包括有一个终端电容,该终端电容和最低位的所述位权重电容的大小相同且都等于单位电容;各所述子电容阵列的各所述位权重电容的上极板都连接在一起,各所述子电容阵列的各所述位权重电容的下极板分别接一个一刀三掷开关,所述终端电容的下极板也接一个一刀三掷开关,在控制信号的控制下各所述一刀三掷开关的另一端连接输入电压、正相参考电压和反相参考电压中的一个或者在控制信号的控制下各所述一刀三掷开关的另一端连接输入电压、参考电压和地中的一个;在相邻的两个所述子电容阵列之间连接有耦合电容,所述耦合电容的两个极板分别和相邻的两个所述子电容阵列的各所述位权重电容的上极板连接;在各所述子电容阵列中选择性的设置调节电容,各所述调节电容的上极板连接对应的所述子电容阵列的各所述位权重电容的上极板,各所述调节电容的下极板接反相参考电压,通过设置所述调节电容使所述调节电容和所述耦合电容的大小都分别为单位电容的倍数,且使对应段的所述子电容阵列内部的最低位的所述位权重电容的权重为前一段的所述子电容阵列内部的最高位的所述位权重电容的权重的两倍。
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