[发明专利]GaN基LED阵列微显示器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种基于选择性区域外延生长技术的GaN基LED阵列微显示器件及其制作方法。本发明器件制作过程包括（A）在衬底上制备条形排列的掩蔽膜并通过选取性区域外延技术生长条型结构n型GaN阵列，（B）在条型结构n型GaN阵列上制备带周期性排布开孔的掩蔽膜并通过选取性区域外延技术生长三维结构微型LED阵列，（C）在三维结构微型LED阵列表面制备条形透明导电层，（D）分别在条型结构n型GaN阵列和条形透明导电层上制备负电极和正电极。本发明采用了选择性区域外延生长技术生长GaN基微型LED，克服了干法刻蚀制备微型LED引起的漏电流问题，提供一种矩阵寻址、低功耗、高亮度的微显示器件。

主权项

一种基于选择性区域外延生长技术的GaN基LED阵列微显示器件制作方法，其特征在于，包括下列步骤：（A）在衬底（1）上沉积介质掩蔽膜，通过湿法腐蚀的方法把介质掩蔽膜制备成条形排列的掩蔽膜（2）；（B）在上述带有条形排列的掩蔽膜（2）的衬底（1）上选择性区域外延生长条型结构n型GaN阵列（3）；（C）在条型结构n型GaN阵列（3）上沉积介质掩蔽膜，通过湿法腐蚀的方法把沉积在条型结构n型GaN阵列（3）上的介质掩蔽膜制备成带周期性排布开孔的掩蔽膜（4）；（D）在带周期性排布开孔的掩蔽膜（4）的n型GaN阵列（3）上选择性区域外延生长三维结构微型LED阵列（5）；（E）在三维结构微型LED阵列（5）的p型GaN层表面，制备延伸方向垂直于条型结构n型GaN阵列（3）的条形透明导电层（6），实现每一行的三维结构微型LED阵列（5）的行互联；（F）分别在条形透明导电层（6）和条型结构n型GaN阵列（3）末端制备正电极（7）和负电极（8）。